据外媒报道，七年前，哈佛大学打造一个受蟑螂启发的HAMR(HarvardAmbulatoryMicroRobot)机器人。尽管当时这个机器人已经很小了，但它的设计者现在打造了一个只有其一半大小的版本。初始版HAMR只有4.4厘米长并且使用起四条陶瓷驱动的腿以每秒高达8.4个身体长度的速度快速移动。这个机器人利用了哈佛的印刷电路微电子机械系统(PC-MEMS)制造方法建造而成。其中涉及到制作一个由微层建筑材料构成的平板，然后通过使用激光将其切割成图案。构成这些图案的不同面板通过灵活的铰链连接在一起。这使得面板可以折叠成三维形状。为了打造HAMR-JR，科学家们基本上只缩小了二维的图案设计以及腿部执行器和集成电路。电源通过硬线外接电源提供。最终得到的机器人只有2.25厘米长，重量只有0.3克。也就是说，它的最大速度要比原来的更快，大约每秒运动的长度可达14个身长。另外，它还可以跳跃、携带比自身更重的载荷并在现场转弯。这项研究论文的第一作者KaushikJayaram指出：“大多数这种规模的机器人都非常简单，只能展示基本的移动能力。我们已经证明，你不需要牺牲灵活性或控制大小。”转载自中文业界资讯站。

麻省理工学院的科学家正在研究软机器人技术，这是一种使用柔性材料而非传统刚性材料的机器人技术。目前，由于缺乏良好的感知能力，软机器人的能力受到限制。一个机械手需要感受它所触摸的东西和它手指的位置，这是大多数软机器人所缺少的能力。麻省理工学院的研究人员发表了2篇新论文，概述了让机器人更好地感知他们正在与之互动的新工具。具体来说，论文描述了新的方法，让机器人看到和分类项目，以及获得更柔和，更微妙的触摸。研究小组说，这些柔软的机器人手上有装有传感器的皮肤，可以用来捡起从薯片等易碎物品到奶瓶等更重的物品。其中一篇论文建立在麻省理工学院和哈佛大学去年的研究基础上。在那项研究中，研究小组开发了一种软的机械手，它是一种锥形的折纸结构。它能够折叠在物体上，捡起比它本身重100倍的物品。研究小组现在已经在折纸结构上增加了由乳胶囊连接到压力传感器的触觉传感器。新的传感器可以让机器人抓取物体并对其进行分类，让机器人更好地了解它在抓取什么。传感器准确识别出10个物体，准确率超过90%，即使一个物体从夹具中滑出。第二篇论文概述了研究人员发明的一种称为“GelFlex”的手爪，该手爪使用嵌入式摄像头和深度学习，实现高分辨率触觉感知和对机器人身体运动位置的感知。个手爪看起来像一个两个手指的杯子夹持器，它使用肌腱驱动的机制来驱动手指。当对各种形状的金属物品进行测试时，该系统能够准确识别超过96%的物体。转载自中文业界资讯站。

美国布法罗大学科研团队开发了一种新形式的功率MOSFET晶体管，这种晶体管可以用最小的厚度处理难以置信的高电压，可能会提升电动汽车电力电子元件效率。金属氧化物半导体场效应晶体管，也就是我们常说的MOSFET，是各种消费类电子产品中极为常见的元件，尤其是汽车电子领域。功率MOSFET是一种专门为处理大功率负载而设计的开关。每年大约有500亿个这样的开关出货。实际上，它们是三脚、扁平的电子元件，可作为电压控制开关。当在栅极引脚上施加足够的（通常是相当小的）电压时，就会在其他两个引脚之间建立连接，完成一个电路。它们可以非常快速地开启和关闭大功率电子器件，是电动汽车不可或缺的一部分。通过创建基于氧化镓的MOSFET，布法罗大学的团队声称，他们已经研究出了如何使用薄如纸的晶体管来处理极高的电压。当用一层常见的环氧树脂聚合物SU-8"钝化"后，这种基于氧化镓的晶体管在实验室测试中能够处理超过8000伏的电压，然后才会出现故障，研究人员称这一数字明显高于用碳化硅或氮化镓制成的类似晶体管。实验当中，氧化镓的带隙数字为4.8电子伏特，令人印象深刻。带隙是衡量一个电子进入导电状态所需的能量，带隙越宽，效果越好。硅是电力电子器件中最常见的材料，其带隙为1.1电子伏特。碳化硅和氮化镓的带隙分别为3.4和3.3电子伏特。因此，氧化镓的4.8电子伏特带隙使其处于领先地位。通过开发一种能够以极小的厚度处理极高电压的MOSFET，布法罗团队希望其工作能够为电动车领域、机车、飞机、微电网技术以及潜在的固态变压器等更小、更高效的电力电子器件做出贡献。转载自中文业界资讯站。

日前，国际知名分析机构ICinsights发布了最新的全球十大模拟厂商排行榜。据其榜单，美国芯片厂商德州仪器（TI）以102亿美元的模拟芯片销售额和19％的市场份额，继续坐稳2019年模拟芯片供应商龙头的位置。ICinsights指出，与2018年相比，TI的模拟销售额下降了约6亿美元，但其销售额仍然是排名第十的瑞萨的十倍以上。数据显示，TI2019年的模拟收入占其IC销售额128亿美元的80％，占其半导体总收入137亿美元的75％。从产品线组成上看，报告指出，2019年，TI的模拟产品销售针对工业应用（占收入的36％），智能手机和其他个人电子产品（占收入的23％）和汽车应用（占收入的21％）。该公司表示，这三个应用领域都具有很高的利润，并为他们的现在和未来提供了最佳的增长机会。排名第二的是ADI公司，其2019年模拟IC销售额下降6％至52亿美元，占全球模拟市场份额的10％。ADI表示，其芯片（包括其通过2017年收购LinearTechnology获得的许多产品）解决了“从传感器到云，从DC到100GHz甚至更高以及从纳瓦到千瓦的机遇。”其2019年按最终用途应用划分的销售额分为工业（50％），通信（21％），汽车（16％）和消费者（13％）。欧洲三大主要IC供应商——英飞凌、意法半导体和恩智浦均进入2019年前十名模拟供应商榜单。它们合计占全球模拟市场份额的18％，比2018年增长2个百分点。其中英飞凌是欧洲排名最高的模拟芯片供应商（第三名），销售额近38亿美元。从业务上看，英飞凌继续扩大在汽车（2019年销售额的44％）和电源管理（2019年销售额的30％）应用中的份额。工业电源控制（18％）和芯片卡及安全性（8％）则是他们产品线的另一重要组成部分。尽管ST的模拟IC收入在2019年下滑了3％，但在排名中却上升了一位，升至第四位。ICinsights表示，意法半导体的模拟销售额在2019年下降至33亿美元（6％的市场份额）。ST的模拟重点是运动控制（电机驱动器IC和高压驱动器IC），自动化（智能电源开关）和能源管理（电力线通信IC）应用。来到恩智浦，ICinsgihts表示，他们的主要增长领域之一是汽车，其模拟产品销售是新兴系统（如LiDAR，车辆网络和5G）的重要组成部分。从整体榜单上看，恩智浦以26亿美元的销售额（5％的市场份额）排名第六。SkyworksSolutions则在2019年的排行中滑落一位至第五位。ICinsights的数据显示，该公司在2018年实现创纪录的37亿美元之后模拟芯片销售，随后这部分业务在2019年下降了13％。而销售额的下降部分归咎于中美贸易战。据报道，中国是Skyworks在2018年和2019年销售的第二大区域市场。Skyworks的许多客户是智能手机以及其他通信和计算设备的制造商，并且他们在中国拥有大量业务。尽管经济不景气，该公司还是加速了其新模拟芯片和芯片组产品组合的开发，以推出5G智能手机，无线基础设施应用和无线游戏耳机。ICinsights强调。来到第八名，根据ICinsights，在连续三年实现模拟产品销售额两位数增长后，排名第八的安森美半导体在2019年的模拟产品销售额下降了13％。安森美半导体一直是汽车，工业和云电源应用领域显着增长的受益者，这是其驱动力过去几年的模拟收入增长。排名第九的Microchip是唯一一家看到其模拟销售额增长的十大模拟供应商，其模拟销售额增长了10％，达到15亿美元。Microchip于2018年5月完成了对Microsemi的收购，这为其在2019年的全年模拟销售额提供了良好的推动力。转载自摩尔定律。

据《日经亚洲评论》（NikkeiAsianReview）报道，华为计划从竞争对手联发科和大陆移动芯片制造商紫光展锐购买更多手机芯片。报道称，华为正与全球第二大移动芯片开发商联发科（MediaTek，仅次于美国高通）和中国第二大移动芯片设计公司紫光展锐（Unisoc，仅次于华为旗下海思半导体）谈判，商讨购买更多芯片事宜，以确保其消费电子业务正常运营。开发自己的尖端芯片一直是华为的一项关键战略，这也帮助了华为在全球手机和其他设备市场脱颖而出。分析师和行业高管表示，采用竞争对手的芯片产品可能会影响华为的竞争力。联发科是三星和中国智能手机制造商OPPO、vivo和小米的主要移动芯片供应商，也为华为提供了4G中低端智能手机芯片。两名了解谈判情况的消息人士称，华为现在还希望购买联发科中高端5G移动芯片。之前，华为高端手机上只使用自家芯片。一位知情人士称：“对于当前所面临的情况，华为之前已经预测到了。去年，华为就开始将更多的中低端移动芯片项目分配给联发科。今年，华为已经成为联发科中端5G移动芯片的关键客户之一。”另一位了解谈判情况的知情人士表示，联发科正在评估其是否有足够的人力资源来全面支持华为的大规模购买，因为华为要求的数量比过去几年通常的采购数量高出300%。与此同时，华为还在寻求深化与紫光展锐的合作。紫光展锐是中国内地一家移动芯片开发商，主要客户为规模相对较小的设备制造商，主要支持面向新兴市场的入门级产品和设备。消息人士称，此前，华为在其低端智能手机和平板电脑产品中只使用了少部分紫光展锐的芯片。一位芯片行业的高管表示：“新的采购协议将极大地推动紫光展锐进一步提升其芯片设计能力。过去，紫光展锐很难获得全球领先智能手机制造商的大合同，而这一次可能是它真正寻求与国际标准接轨的机会。”紫光展锐去年加快了5G芯片的研发，以赶上高通和联发科。最近，该公司从中国国家大基金二期和上海国盛集团获得45亿元人民币（约合6.30亿美元）的投资。今年晚些时候，紫光展锐准备在上海STAR科技板上市。转载自中文业界资讯站。

华为是台积电的第二大客户，2019年贡献了14%的营收，很快就可能超过苹果成为第一大客户。不过美国5月份宣布新一轮政策，直接打压华为，这也让台积电很受伤，分析师称2020到2021年台积电预计会下调70亿美元的资本开支。根据里昂证券亚洲科技产业部门研究主管侯明孝的分析，5月份台积电就有客户开始下调订单量了，预计5nm工艺产能比预定目标减少1-1.5万片晶圆./月，7nm产能减少1-2万片晶圆/月，2020到2021两年里合计减少50-70亿美元的资本开支。不仅客户订单减少，台积电也延缓了与设备供应商之间的订单，部分新设备订单从6月延期到了12月。2021年的话，台积电可能还会跟ASML协商，主动降低EUV光刻机的付款，这又会导致全球半导体上下游产生连锁反应。不过对于降低资本开支一是，上周台积电官方表示没有变化，但分析师认为下调是必然的，而且不只是影响今年，影响还要观摩。转载自中文业界资讯站。

显示面板是科技领域的重要战略物资，这是显而易见的事实，几乎所有带有视觉反馈的设备，都需要显示面板的硬性支撑，所以更加高级的显示面板生产线，就当下科技世代的“兵家必争之地”。今年以来，三星、LG等韩国面板巨头纷纷宣布停止LCD面板生产，除了本土保留的一部分产能之外，基本上是退出LCD市场，将重点转向OLED市场。但是在OLED市场上，中国公司追赶的速度更快，这个市场竞争并不轻松。韩国的三星、LG两家公司在OLED领域现在是领先的，不过他们也在担忧，因为中国公司追赶的速度太快了，随着京东方、华星光电、天马微电子、维信诺等公司大力建设5.5代及6代线的OLED生产，中国生产的OLED面板在未来三年就会大幅增加。举例苹果的iPhone产品，完成了从LCD面板进化到了OLED时代，而由于优质的小尺寸OLED面板无人与三星竞争，所以在原材料环节，苹果受到了三星的掣肘。而最近一年，我们能够发现，京东方的显示面板已经越来越多出现在市场的中高端消费级产品中，甚至有传言将京东方中小尺寸面板，将打入苹果的产品供应链。京东方称将加大OLED面板投资与生产，明年出货量增加两倍，达到7000万片，其中多用于智能手机产品。中国公司已经投产了12条OLED生产线，在建及规划中的还有7条，总投资超过3500亿人民币，其中京东方就占了1395亿元，他们比2015年增加了8条OLED生产线。人无远虑必有近忧，所以韩国公司担心，中国公司随着掌握LCD、OLED面板生产技术之后，在新一代显示技术，如miniLED、microLED等新兴显示面板上也有了同台竞争的资本，甚至在量产速度上还有所超出。中国厂商正在逐渐蚕食世界高新显示技术的市场，京东方成为苹果的新供货商极有可能就是一个讯号，这意味着中国OLED显示面板的解决方案，正在被世界上最好的手机厂商所接纳，随着越来越多的厂商购买中国的显示面板，韩国势必将失去主导权，未来当如何？转载自中文业界资讯站。

提到荷兰ASML公司，大家都知道他们是全球唯一的EUV光刻机供应商，7nm及以下的工艺生产都要靠他们的设备。不过ASML不只是光刻机厉害，今天他们宣布了另外一个新产品——第一代HMI多光束检测机HMIeScan1000，适用于5nm及更先进工艺，使得产能大涨600%。随着制程工艺不断提升，晶圆的制造也越来越复杂，这也会导致晶圆中的错误更多，HMIeScan1000就是一套基于HMI多光束技术的检测系统，内部也有复杂的光电子系统，能够产生、控制多个电子束，然后根据反射回来的电子束成像来分析晶圆质量，并有高速运行的平台以控制测试的晶圆数量，还要有计算系统处理电子束的数据。简单来说，ASML研发的这个HMIeScan1000机器就是一台验证先进工艺生产出来的晶圆质量的系统，工艺越先进，检测系统就越重要，它的检测精度、吞吐量决定了生产的效率。ASML的HMIeScan1000的突破之处在于能够同时产生、控制九道电子束，所以产能提升了600%，可以大大减少晶圆质量分析所用的时间。目前HMIeScan1000可以用于5nm及以下先进工艺的晶圆测试，已经交付给客户进行测试验证，未来ASML还会推出光束更多的测试设备以满足客户对先进工艺的要求。转载自中文业界资讯站。

高通公司今天发布了FastConnect6900和6700移动连接系统，最大特色是同时整合了Wi-Fi6E和蓝牙5.2，承诺提供低延迟Wi-Fi和蓝牙通信，并通过无线连接实现有线语音和音乐等功能。所有这些都是由Wi-Fi6E和蓝牙5.2共同带来的：Wi-Fi6E可以使用新的6GHz频段，与FastConnect6900一起提供3.6Gbps的速度（6700为3Gbps）。而6GHz频段额外增加了1200MHz的频谱，使Wi-Fi频谱增加了三倍。蓝牙5.2承诺提供更好的音频功能，以提高质量、可靠性和响应速度。通过支持Wi-Fi6E的芯片组，当其他设备使用其他频率时，设备将能够使用6GHz频率。这意味着更低的延迟，更高的速度，以及更多的东西，将改善诸如云游戏、VRbeplay体育ios怎么用流媒体等。结合蓝牙5.2，设备将获得更低的外设延迟，也就是通常需要有线连接的那种延迟。高通表示，它采用了四路多频段同期（4-StreamDualBandSimultaneous）技术来利用多个天线和频段，支持双频160MHz和4KQAM调制，可以极大提升通信性能。当用户不使用Wi-Fi时，它还可以通过5G实现低延迟和快速的连接速度，这也是高通公司领先的另一个领域。新的FastConnect解决方案将在明年出现在高通的芯片组中，很可能会在骁龙875中出现相关技术。转载自中文业界资讯站。

2020年5月22日中国研究生创“芯”大赛组委会宣布《“华为杯”第三届中国研究生创“芯”大赛，（简称“大赛”）》正式启动。大赛由中国教育部学位与研究生教育发展中心为指导单位，中国科协青少年科技中心为主办单位，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会为本次大赛的联合指导单位；与往届一样，华为技术有限公司是本届大赛的冠名赞助商并提供相关技术支持；作为大赛的秘书处，“清华海峡研究院”将负责赛事的组织工作，定期召开执委会和专委会，云讲座和线上答疑等工作。本届大赛得到了社会各界的广泛支持，参与协办的单位有：中国集成电路行业协会、全国工程专业学位研究生教育指导委员会、中国电子学会、示范性微电子学院产学融合发展联盟、上海市电子学会、上海市集成电路行业协会、上海交通大学、复旦大学、清华校友总会半导体行业协会和清华海峡研究院。本届大赛的举办地在上海临港新片区并由临港集团承办。临港集团是上海市国资委下属唯一一家以园区开发和配套服务为主业的国有企业，是临港新片区开发建设的主体。经过30多年园区开发实践，培育了“临港”、“漕河泾”、“新业坊”三大品牌，旗下拥有沪市主板上市公司“上海临港”。临港集团此次将邀请园区的优质企业清大紫荆知产作为本次大赛的执行单位，为本次大赛全程提供全方位的优质服务。据悉，截至目前为止，本次大赛已经得到了众多企业的赞助和支持，他们分别是：新思科技，日月光集团，中芯国际，铿腾电子，格科微，泰瑞达，思尔芯，艾为电子，小马答；SEMI中国大半导体产业网、与非网等知名行业媒体为本次大赛的合作媒体。有意向参与支持大赛的企业可以通过大赛的官方与主办方取得联系。大赛于2018年由教育部学位与研究生教育发展中心和中国科协青少年科技中心共同发起设立，是中国研究生创新实践系列大赛主题赛事之一。大赛的宗旨为：创芯、选星、育芯。大赛聚焦研究生教育高质量发展的时代命题，落实国家集成电路产业的重大部署，目的在于推动高等院校及科研院所集成电路相关专业研究生培养模式改革与创新，培养研究生创新能力、实践能力和团队协作精神，促进研究生工程实践素质的培养，为建设创新型国家提供人才战略支撑。目前，大赛报名通道已经开启。参赛队伍可在大赛官网（阅读原文可跳转）上注册、完善报名信息、组队。组委会还将定期举办云讲堂、线上答疑和线上招聘等活动，参赛者可以通过官网关注大赛的微信公众号，加入微信群和QQ群获得大赛实时的动态信息。有意向参赛的团队请务必注意以下重要信息：参赛对象：中国大陆、港澳台地区在读研究生（硕士生和博士生，含留学生）和已获得研究生入学资格的大四本科生（需提供学校保研、录取证明）及国外高校在读研究生开放；报名截止时间：2020年7月20日；初赛截止时间：2020年7月22日；决赛时间暂定2020年8月中旬在上海临港新片区举办（具体时间将根据新冠病毒疫情防控情况和教育部有关要求决定并提前发布）。大赛每年举办一次。首届大赛于2018年8月在厦门举行，共有来自全国71所高校和科研院所的254支研究生队伍，总计1000多名师生报名；第二届大赛于2019年在杭州举行，共有来自94所高校的468支队伍，总计近1700多名师生报名参赛。前两届大赛均由华为技术有限公司冠名并提供专业支持，在国内外众多知名企业参与下，并经多家行业媒体的关注和报道，形成了广泛的社会影响力。同时大赛为了给参赛选手们一个更好的交流平台，已在beplay体育ios怎么用论坛建立专门的板块（创芯大赛）供参赛者们交流学习，该板块内将会同步发布大赛相关信息或相关学习资料。届时请关注论坛内容发布，以及欢迎各位参赛者在论坛中发帖交流。

ARM公司正式推出了新一代CPU架构——Cortex-A78，采用5nm制程工艺，性能提升20%，功耗降低了50%。。ARM是一个精简指令集家族，预期每8年迭代一个架构版本。ARM架构是一个精简指令集（RISC）处理器架构家族，其广泛应用于嵌入式系统设计，特点为低成本、高效能及低耗电等，覆盖消费性电子产品、可携带装置、电脑附件设备等。ARM表示，Cortex-A78的架构性能（也就是IPC）只提升了7%，功耗降低了4%，内核小了5%，四核心面积缩小了15%。Cortex-A78的频率可达3.0GHz，而Cortex-A77只有2.36GHz。另外，Mali-G78彻底重写了FMA(融合乘加)引擎，可以节省30％的功耗。与此同时，ARM还推出了首款次旗舰GPU——Mali-G68，架构、特性与Mali-G78如出一辙，唯一的区别在于最多只能支持6个核心，而Mali-G78的核心数为24。最后，ARM还推出了Cortex-X1架构，该架构与Cortex-A78不同，前者追求极致性能，后者则是更注重性能、功耗和体积。Cortex-X1是ARM“CXC项目”的第一款商用产品。与Cortex-A78相比，Cortex-X1的整数运算性能提升了23%，机器学习能力也提升了2倍。综合来看，智能手机的处理器架构不太可能采用4个Cortex-X1，1个Cortex-X1和3个Cortex-A78的概率会更大一些。这种搭配只比四核心的Cortex-A76多占用了15%的空间，但是单核性能会得到进一步的提升。Cortex-X1的体积要比Cortex-A78大很多，L2缓存的最大容量为1MB，带宽是原来的两倍，可以最大限度地提高性能，而共享的L3缓存可以达到8MB，是前几代缓存的两倍。不出意外的话，未来智能手机处理器可能会采用1个Cortex-X1+3个Cortex-A78+4个A55的方案，既可以保证单核性能，又可以更好控制CPU的功耗，可以说是一举两得了。本文素材内容整合自网络

华为旗下的海思半导体本来已经可以满足华为手机80%左右的手机芯片供应，但是最近形势大变，华为不得不为旗下手机寻找备胎。联发科有望成为华为手机芯片最大供应商，今年5GSoC出货将达到4200万颗。据报道，华为今年采购的联发科芯片数量比以往大涨300%，而联发科也正在评估是否有足够的资源满足华为需求。不仅是采购量大涨，联发科的芯片也会进入中高端手机，以往华为只是在中低端4G手机上才会使用联发科芯片，今年可能会大量采购中高端5G芯片。对于传闻的与华为合作，联发科之前也表态，和国内多家手机厂商都有良好且长期的合作关系，不管面对哪一家合作伙伴，公司都是致力于芯片性能的研发，以助力终端用户能以亲民的价格享受到高端甚至旗舰机种才能带来的用户体验，从而推动5G移动应用体验的普及。联发科到底能从这次合作中获得多大的收益呢?业界分析称，联发科在下半年有可能成为华为手机最大的芯片供应商，全年5GSoC出货量有望增加到4200万颗。不仅2020年受益，2021年联发科的5GSoC出货量还会继续大涨，分析师将原本预期的1.21亿颗出货量大幅提升到了1.45亿颗，一年就多出将近2500万颗，除了正常增长的，华为显然也会贡献不少，这也会给联发科带来额外5.4%的利润。不过目前联发科及华为的官方表态都很谨慎，并没有确认双方的合作，联发科当前也没有调整2020年的营收指引。转载自中文业界资讯站。

据外媒报道，日前，一款试验性太阳镜问世，它可以监测用户的健康状况、让他们控制游戏并根据自己的需求将其转换成太阳镜。据悉这款眼镜原型由来自韩国高丽大学KU-KIST融合科学与技术研究生院的Suk-WonHwang副教授领导的团队开发。这种“电子眼镜”采用3D打印框架，在佩戴者的耳朵和眼睛附近植入了柔性电极。前者的传感器相当于脑电图(EEG)，用于监测大脑的电活动，后者的功能则相当于眼电图(EOG)，用于跟踪眼球运动。这两种数据都是通过眼镜的无线传输来处理。在实验室测试中，EEG成功地记录下了志愿者的阿尔法节律，反过来又监测了他们的健康状况。EOG的数据则让参与者只需移动他们的眼睛就可以玩一个堆砖的电子游戏。可以想象，这样的功能可能会在计算机的免提控制或为残疾人设计的辅助技术中得到应用。另外，这款电子眼镜的一条镜腿上还有一个紫外线传感器，它可以用来测量入射紫外线的强度。当阳光足够明亮时，传感器会触发镜片内部的防紫外线凝胶使镜片变暗，从而暂时将眼镜变成太阳镜。最后，研究人员还在同一条镜腿上安装了一个加速计以此作为光传感器。它能跟踪用户的姿势和步态并能在他们发生跌倒的时候检测到。这意味着，这种眼镜可以用于虚拟现实系统或拿来监视老年人等人，一旦发现事故就能自动发送警报。转载自中文业界资讯站。

5月25日，移远通信宣布，正式成为上海海思5G全球授权合作伙伴。看来，美国的制裁加速了华为扶持中国企业全球化的步伐！移远通信官方消息显示，此次合作是双方继5GNB-IoT之后的合作升级，双方将充分发挥海思5G模组中间件的性能优势以及移远在5G模组领域积累的领先商用经验，在“新基建”背景下加速5G在电力、智能制造、安防、AGV（AutomatedGuidedVehicle，自动导引车辆）、OTT融合终端等行业的规模商用。2020年2月20日，移远通信与上海海思联合发布了基于海思5G模组中间件的5G模组RG801H。这款模组覆盖5G/4G/3G的多制式通信能力，提供超高上行速率、极端温度适应性和增强的安全性能，且外部接口多达18种，并拥有5G+X场景解决方案。3月31日，移远通信宣布，公司5G模组RG500Q－EA正式规模化出货。该5G模组RG500Q－EA主要面向亚太、欧洲以及中东等地区，支持5GNRsub－6GHz频段以及5G独立组网（SA）和非独立组网（NSA）两种运行模式。转载自摩尔定律。

高通公司邀请媒体参加了内部说明会，谈谈VR的发展方向。高通表示，VR仍然是一个正在进行中的工作，并且有望在未来取代智能手机。目前，自Oppo、松下等公司相关头显产品，将在未来12个月内的设备浪潮中充当5G连接的手机配件。目前，VR产品主要是连接到PC的头显，或者像OculusQuest这样的独立头显。但很有可能VR和AR的真正命运是与手机并驾齐驱，插入或连接起来作为身临其境的附加组件。这就是高通的计划，正在与一系列合作伙伴合作，制作该公司所谓的"XR观影器"，从今年开始，将与一定范围内与搭载高通处理器的手机配合使用。高通表示，尽管全球范围内出现的新冠疫情导致研发放缓，但合作伙伴们仍将在今年晚些时候发布相关硬件。高通在去年首次宣布了制造手机连接的AR和VR头显计划，同时，高通还为独立的头显提供了更高功率的骁龙XR2芯片，这些芯片最终可能会成为未来超越FacebookOculusQuest之外的产品。高通表示，外挂式头显不会使用XR2芯片，相反，预计会采用像该公司之前的XR1那样的低成本组件，它们通过USB-C与经过高通认证的骁龙855或865手机连接。高通公司表示，在未来1-4年内，这些观影器将走向无线化，使用6GHz的Wi-Fi。目前来看，与手机配合使用的外挂式头显可能是目前最有可能实现5GVR/AR的路径，而独立式头显的5G附加组件会增加额外的成本，并可能会消耗电池寿命。高通向CNET证实，大部分XR合作伙伴为2020年做好准备，硬件也将在12个月的时间内推出。VR/AR耳机的合作伙伴由已知和未知的厂商组成。松下、Pico、VLAVR、OPPO、3Glasses、iQiYiYi、Nreal和ShadowCreator。与这些耳机配合使用的手机将包括华硕、OnePlus、Oppo、黑鲨、vivo、Smartisan、vivo和中兴的机型。自去年年底以来，新的VR硬件还没有出现，但即将到来的外挂式观影器可能会让VR的价格下降，并最终与手机应用更好地配合，这也是目前像OculusQuest这样的独立VR并不擅长的。转载自中文业界资讯站。

国际市调机构ICInsights近来公布2020年第一季全球10大半导体厂商销售排名，华为海思首次进入前10大排行榜，成为第一家中国大陆半导体企业，创下新历史。根据ICInsights的报告显示，前10大半导体厂共有6家美国厂商，包括英特尔、美光、博通、高通、德州仪器和NVIDIA；韩国2家，分别为三星、SK海力士；中国台湾与中国大陆各1家，为台积电和海思。ICInsights指出，今年第一季排名前10大的半导体公司，总销售额比去年同期成长16%，比全球半导体产业平均年增7%多了快2倍；前20大公司中有9家的销售额至少达到30亿美元。值得一提的是，在这排名当中，海思半导体的排名跃升了5名，其第一季销售额接近27亿美元，较去年同期的17.35亿美元，年增达54%。也因此，排名从去年的第15名攀升至第10名，更成为首家全球排名前10的中国大陆半导体供应商。为何海思今年第一季的成长幅度会如此亮眼，甚至更跻身全球10大半导体厂商之林？一名熟知半导体产业的分析师认为，主要有2大因素：手机拉抬和芯片自主化程度提高。智能手机芯片是海思半导体相当重要的产品线，身为华为的半导体设计部门，研发的芯片向来是华为手机差异化优势关键。特别是在中美贸易战之际，海思更扮演关键的“救援投手”角色，用自身产品取代被美国禁止出货给华为的美系半导体产品。中国半导体研究机构CINNOResearch报告便指出，在2020年第一季，海思的智能手机处理出货量为2,221万，虽与去年的2,217万相差不远，但由于高通市占率明显下降，从去年同期的48.1%降至32.8%，海思因而超越高通成为中国大陆智能手机处理器Q1出货龙头。“像是近期推出的麒麟820系列，对于华为5G中阶手机的销售有所帮助，所以第一季的成长，可以推估很大原因来自于手机芯片。”分析师解释。除了手机拉抬之外，另一个因素在于海思积极提高芯片自主化程度。海思产品线除了智能手机芯片外，还包含数据中心芯片、人工智能芯片、影像处理芯片、物联网芯片等。过往，这些芯片多是自给自足（供货给母公司华为），不对外出售，尤其是麒麟系列芯片。然而，海思在去年底开始改变营运策略。除了持续供货华为之外，也开始公开贩售旗下各类芯片产品。“海思在2020年第一季能大幅成长，另一个很重要的部分就是提高芯片自主化程度，像是除了智能手机，他们也一直强化服务器芯片在其他品牌的搭载率。”分析师说。如今的海思，已跃居全球十大半导体公司之一，但这样的荣景是否能维持，仍待观察。分析师指出，中美贸易战仍是关键的要素，特别是华为手机在海外销售持续受到影响的情况下，海思未来是否仍还能有这样的成长幅度，还是得打上个问号。转载自摩尔定律。

挖孔屏成为当前全面屏的主流形态，在这种背景下，行业期待屏下摄像头能够量产商用。5月24日消息，业内人士@摩卡透露，华为有可能是第一家首发屏下摄像头技术的厂商。之前有爆料指出，屏下摄像头会在今年下半年量产商用，目前不少品牌已经展示过屏下摄像头样机，比如OPPO、小米、vivo等等，屏下摄像头呼之欲出。屏下摄像头实现最重要的一步是“透明的屏幕”，这块屏幕具有低反射和高透光的特性。其前置摄像头区域透明，不拍照的时候可以正常显示屏幕内容，拍照时则变成透明玻璃，以便光线进入实现自拍。不仅如此，厂商还会从传感器和成像算法入手，提升传感器对于光线的敏感度以及图像算法的后期修正，确保屏下摄像头的自拍能够达到较为理想的效果。目前行业正在积极推进屏下摄像头的量产商用，最快有可能会在下半年见到成品，我们拭目以待。转载自中文业界资讯站。

近日，德国慕尼黑和佛罗里达州博卡拉顿（GLOBENEWSWIRE），传感器解决方案供应商HENSOLDT与领先的3D打印电子（AME）/印刷电子（PE）供应商NanoDimension合作，在利用3D打印技术开发高性能电子元件的过程中取得了重大突破。利用NanoDimension公司新开发的介电聚合物油墨和导电油墨，HENSOLDT公司成功地组装出了世界上第一块10层3D打印电路板(PCB)，电路板的两面都焊接了高性能的电子结构。记者了解到，在此之前，3D打印电路板无法承受元件双面口的焊接工艺。世界首块10层3D打印PCB电路板"军事传感器解决方案要求的性能和可靠性水平远远高于商用元件。"HENSOLDT首席执行官ThomasMüller说。"通过3D打印的方式，以更少的工作量更快获得高密度的组件，使我们在这类高端电子系统的开发过程中具有竞争优势。"世界首块10层3D打印PCB电路板AME电子电路3D打印技术在生产前验证新设计和专用电子元件的功能是非常有用的，是一种高度敏捷和个性化的工程方法，用于新的电子电路原型设计。这使得开发过程中的时间和成本大大减少。此外，AME在开始生产之前就能提供经过验证和批准的设计，从而提高了最终产品的质量。正是这个突破性的技术进展，2020年5月19日NanoDimensionLtd.(纳斯达克，TASE：NNDM)股价暴涨341%。HENSOLDT于2016年开始与NanoDimension的DragonFly3D打印系统合作，以研究3D打印电子产品的可能性。2019年，HENSOLDT成功实施了DragonFlyLights-OutDigitalManufacturing(LDM)打印技术，这是行业内唯一的全天候3D打印电子电路的快速成型制造平台。本文来源自：南极熊3D打印网

据外媒报道，当谈到常规光伏板时，投在上面的阴影越少越好。然而，一种实验性的新设备却是通过其表面阴影和光线的对比来发电的。据悉，该工具由来自新加坡国立大学的科学家开发，叫做阴影效应能量生成器(SEC)。目前的原型则由一个柔性透明塑料底座和四个电池组成，每个电池都有一层薄薄的金薄膜沉积在硅片上。这些电池的生产成本比同类的硅太阳能电池要低。当整个SEG完全置于光线或阴影中时，它几乎不会产生任何电力。然而，当它的一部分暴露在光线下，另一部分被阴影笼罩时，亮部和暗部之间会产生电压差进而产生明显的电流。在室内部分阴影照明条件下进行的实验室测试中，SEG能为数字手表等小型设备供电。当一半在光线中，一半在阴影中，它的表现最好，事实上，在同样的条件下，它的效率是同等容量的光伏电池板的两倍。SEG不仅可以在光线不佳的情况下为小型设备供电还可以作为运动传感器--当一个移动的物体在其中一个设备上投射出阴影时就会产生可检测的电流。现在，这群科学家们正在研究一种能替代黄金的更便宜材料以此来进一步降低这项技术的成本。相关研究报告已发表在《Energy&EnvironmentalScience》上。转载自中文业界资讯站。

三星日前宣布，计划提升位于韩国平泽工厂的晶圆代工产能，以满足全球对其极紫外（EUV）解决方案不断增长的需求。新的晶圆代工生产线将基于5nmEUV工艺打造5G、高性能计算(HPC)和人工智能(AI)解决方案。这个新的生产设施将扩大三星在5nm以下工艺的制造能力，并使三星能够快速响应基于EUV解决方案需求增长。三星将继续致力于通过积极投资和招聘人才来满足客户的需求。这将使三星在推动晶圆代工业务强劲增长同时，继续开拓新的领域。该公司希望新的代工线能在2021年下半年全面投入使用。在那里开发的硬件将在5G、HPC和AI等下一代技术方面发挥关键作用。这些技术已经开始成为日常生活中的重要组成部分，并且将在未来变得更加重要。虽然新的代工线将大幅提升三星的EUV产能，但该公司已计划在2020年下半年开始在华城工厂批量生产5nmEUV产品。一旦平泽生产线在明年建成并投入运行，三星将在韩国和美国共有7条代工生产线。转载自中文业界资讯站。

近日，知名PC大厂联想旗下的子品牌thinkplus推出了一款65W的氮化镓快充充电器，作为新一代口红电源，更小巧的体积随身携带毫无负担，让充电的过程变得更轻更快。截止到目前，联想thinkplus口红电源家族已经具有三款产品，其中两款为65W，一款为45W。值得一提的是，这也是笔记本大厂首次官宣氮化镓快充，可见第三代半导体技术日渐获得手机、笔电等厂商的青睐。thinkplus口红电源采用了GaN氮化镓新方案，是一种新型半导体在电源上的创新应用，未来将广泛应用在新能源汽车、半导体照明、新一代5G移动通讯上。使用了氮化镓技术的口红电源除了拥有小巧精致的体积以外，还有高效的电能转换效率和低开关损耗。这款充电器在接口方面单独配备了一个USB-C接口，可提供高达65W的输出功率。兼容了绝大部分智能手机的同时，也能给支持PD协议的笔记本电脑进行快充。当前联想推出了款式众多支持USBPD快充的笔记本电脑，对于消费者则可以将原配充电器放置在家中，选择这款氮化镓快充之后，可以作为旅行、办公等经常移动使用场景的随身充电器。thinkplus氮化镓电源采用了可折叠式插脚设计，2:1宽高比，缩回插脚不仅减少体积，同时也与其他金属物件发现剐蹭，出行更安心。电源的整体设计为简洁风格，表面用了哑光的处理工艺，手感较为细腻。尺寸为64.8mm×31.3mm，方正小巧的外形在插线板上使用不会妨碍到其他设备的使用。配套的长达1.8米的TPE高弹性线材，出门在外，接口远一点也能轻松应对。这款充电器的型号为GaN65，输入支持100-240V全电压适配，全球旅行仅需一个充电头。支持PD3.0和QC3.0高兼容性快充协议及PPS充电协议，已通过3C安全认证，符合DoEVI&CoCTier2能效标准。thinkplus口红电源提供了雅典白、极夜黑、热力红三种颜色给客户自行选择。总的来说thinkplus这款新推出的氮化镓快充充电器具有方正小巧的体积，仅93g的重量可随身而行，轻量化的充电器材一直是用户们的刚需，这款充电器刚好满足了这一点。感兴趣的小伙伴可以关注充电头网，后续带来更详细的拆解评测。转载自中文业界资讯站。

集邦咨询LED研究中心（LEDinside）于当地时间周三发布的调查显示，到2022年，MiniLED背光显示器的成本有望低于OLED显示器，从而使得MiniLED背光显示器具备市场竞争力。集邦咨询指出，现阶段MiniLED背光显示器成本预计高于100美元（约合710元），其中MiniLED背光模组成本占六成以上。调查显示，目前MiniLED背光显示器的制造成本高于传统的LCD和OLED显示器。然而，随着制造商继续改进制程技术和制程良率，MiniLED背光显示器的成本预计将以每年15%-20%的幅度下降。去年12月，天风国际分析师、知名苹果分析师郭明錤（Ming-ChiKuo）在最新的研究报告中表示，在未来2至3年内，苹果将推出4至6款采用MiniLED显示器的产品。其中，首款配备MiniLED的产品将是预计于今年第三季度发布、配备A14X处理器、12.9寸的高端iPadPro，第二款将是预计在今年第四季度量产、16寸的MacBookPro。然而，今年4月中旬的时候，分析师杰夫·普（JeffPu）表示，由于配备了MiniLED显示屏的12.9英寸iPadPro的面板设计较为复杂，这款设备可能会“推迟”到2021年初发布。此前，郭明錤曾表示，苹果有兴趣采用MiniLED显示屏，是因为这种显示屏可提供良好的宽色域性能、高对比度、高动态范围和局部调光功能，使用寿命更长。同时，使用MiniLED将使显示屏更薄、更轻，而且不像OLED那样容易老化。除了iPadPro，苹果还将把MiniLED背光技术整合到其它产品线中，而其他领先品牌也将在自己的产品中采用该技术。转载自中文业界资讯站。

5月19日，紫光展锐官方宣布，旗下5G基带芯片—春藤V510已实现对FDD（频分双工）制式下700MHz频段的支持，并于近日实现了上下行数据互通。该数据互通测试采用了搭载紫光展锐春藤V510的5GCPE商用产品，使用是德科技E7515BUXM5G无线测试平台，基于FDD模式，在700MHz频段下达到理论满速率。700MHz频段被认为是移动通信发展中的黄金频段，它具有具有信号传播损耗低、覆盖广、穿透力强、组网成本低等优势特性，而且适合5G底层网络。中国广电是目前全世界唯一一家获得5G牌照并用700MHz建网的广电运营商。此次展锐春藤V510成功实现了700MHz频段的数据互通，将有力支持中国以及全球700MHz5G网络建设，为消费级与产业级用户提供更多的5G场景应用，同时也进一步验证了展锐5G芯片的技术实力。目前春藤V510可支持TDD和FDD两种模式，以及中国四大运营商的全部5G频段和全球主流频段，充分满足全球市场对5G高、中、低频段的不同需求。紫光展锐表示，还将持续与全球运营商和基站合作伙伴开展互通测试，持续助力700MHz商用建设，进一步推进全球5G普及。春藤V510是紫光展锐首款基于马卡鲁通信技术平台的5G基带芯片，支持2G/3G/4G/5G多种通讯模式，支持Sub-6GHz，n1/n3/n8/n20/n41/n77/n78/n79等全球主流频段，可实现SA/NSA双模组网以及TDD+FDD模式。基于工规级芯片设计，春藤V510拥有宽温的特性，工作环境温度可达在-40℃～+85℃，可广泛用于5G多个垂直行业及终端形态，包括模组、CPE、MiFi、机顶盒、AR、VR、IP摄像头、工业网关、直播机、自动导引运输辆（AGV）、无人机等。目前搭载展锐春藤V510的中国联通5GCPE和5G工业模组—有方N510系列已正式发布。2020年还将有数十款搭载春藤V510的5G终端实现商用。转载自中文业界资讯站。

5月19日消息，据国外媒体报道，台积电上周五已在官网宣布拟在美国建设5nm芯片工厂，产业观察人士表示，台积电在美国建厂之后，三星和格罗方德这两家芯片代工商所面临的压力就会更大。从官网所公布的消息来看，台积电的这一工厂将建在亚利桑那州，2021年动工，计划2024年投产，月产20000片晶圆，包括资本支出在内，台积电2021年到2029年拟在这一工厂上投入120亿美元。对于台积电在美国建厂，产业观察人士表示，建厂之后其在芯片代工方面的竞争对手三星和格罗方德，所面临的压力就会更大。产业观察人士表示，在芯片代工方面，工艺领先的台积电牢牢占据着主导地位，芯片代工市场的份额超过了50%，而这还是在没有在美国运营有工厂的前提下取得的。产业观察人士进一步表示，台积电虽然在美国没有工厂，但美国厂商却是其主要的收入来源，苹果、博通、高通、英伟达等厂商均是台积电的客户，获得这些客户的订单，主要是得益于台积电先进的芯片代工技术。但在美国建厂之后，距离这些客户更近，便于量产前的沟通协调和生产后的交付，在保持工艺领先的同时，也更能确保这些客户的订单。在美国建厂方面，三星要远早于台积电，三星奥斯汀的半导体工厂，在2005年就已经投产，随后不断扩展，也曾投产14nm工艺，但并未撼动台积电在美国芯片设计厂商眼中的地位。当然，外媒在报道中表示三星计划未来在美国工厂投产更先进的芯片工艺，但能否从台积电手中抢到订单，还是未知数。格罗方德虽是一家美国的芯片代工商，但在2018年，他们就已宣布放弃7nm及更先进的工艺，因而已不会在芯片工艺方面给台积电带来挑战，随着台积电芯片工艺的进一步提升，反而会是台积电给格罗方德带来更大的压力。转载自中文业界资讯站。

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMBH1790GLC-E2传感器输出类型:I²C,电源电压-最小:1.7V,电源电压-最大:3.6V,最大频率:400kHz,工作电源电流(mA):200uA,工作电源电压:1.7Vto3.6V,2.5Vto3.6V,工作温度:-20°C~85°C(TA),封装/外壳:WLGA-10,传感器类型:血氧计/心率免费样片申请ROHMBM1383AGLV-ZE2传感器输出类型:I²C,输出:16b,端子类型:SMD(SMT)接片,端口样式:无端口,电压-电源:1.7V~3.6V,最高压力:290.07PSI(2000kPa),工作温度:-40°C~85°C,工作压力:4.35PSI~15.95PSI(30kPa~110kPa),封装/外壳:12-VFLGA,压力类型:绝对,偏差:±1%免费样片申请ROHMBH1730FVC-TR传感器输出类型:I²C,电压-电源:2.4V~3.6V,波长:600nm,接近探测:无,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:6-WSOF,FET类型:环境免费样片申请ROHMBH1726NUC-E2传感器驱动器/接收器数:8/0,电压-电源:3V~3.6V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:16-SSOPB,FET类型:驱动器免费样片申请ROHMBU21079F-E2传感器触摸屏:4线电阻式,电流-电源:800µA,电压基准:外部,电压-电源:1.65V~3.6V,接口:I²C,工作温度:-20°C~85°C(TA),封装/外壳:20-VFQFN裸露焊盘,分辨率（位）:12b免费样片申请ROHMBU21029MUV-E2传感器输出配置:正,输出类型:固定,系列:汽车级,AEC-Q100,稳压器数:1Ohms,电流-静态:6µA,电流-输出:500mA,电流-电源（最大值）:15µA,电流-电源:6µA~15µA,电压-输出（最小值/固定）:3.3V,电压-输入（最大值）:45V,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:TO-252-3,压降（最大值）:0.8V@200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:63dB(120Hz)免费样片申请ROHMBH1745NUC-E2传感器输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):120µA,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:5V,电压-输入（最大值）:25V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA,压降（最大值）:0.7V@2A,保护功能:过流,超温,过压,PSRR:55dB(120Hz)免费样片申请ROHMKXCJ9-1008传感器频率-开关:10kHz~800kHz,输出阶段:1Ohms,输出配置:正或负,输出类型:晶体管驱动器,输出数:2,电压-电源（Vcc/Vdd）:3.6V~35V,时钟同步:无,控制特性:空载时间控制,软启动,拓扑:降压,升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:16-LSSOP,同步整流器:是,占空比（最大）:1Ohms,功能:升压,降压免费样片申请ROHMRPR-220UC30N传感器频率-开关:380kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:3A,电压-输出（最小值/固定）:0.9V,电压-输出（最大值）:16.2V,电压-输入（最小值）:4.75V,电压-输入（最大值）:18V,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,同步整流器:是,功能:降压免费样片申请ROHMRPR-0521RS传感器输出端数量:1Output,输出电流:500mA,输出电压:3.3V,输入电压:2.4V,电源电压-最小:0.6V,最小输入电压:0.6V,最大输入电压:4.5V,拓扑结构:Boost,开关频率:800kHz,工作电源电流(mA):13uA,工作温度:-40°C~85°C,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD7411G-TR传感器输出类型:满摆幅,电路数:2,电流-输出/通道:1mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:900µA,电压-输入失调:1mV,电压-电源，单/双（±）:5V~14.5V,±2.5V~7.25V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,增益带宽积:1MHz,压摆率:1V/µs免费样片申请ROHMRPR-220传感器输出配置:正,输出类型:可调式,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):0.6mA,电流-输出:1A,电流-电源（最大值）:900µA,电压-输出（最小值/固定）:1.5V,电压-输出（最大值）:13V,电压-输入（最大值）:14V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:8-SOIC,压降（最大值）:1.2V@1A,保护功能:过流,超温,软启动免费样片申请ROHMRPI-1035传感器配置:1对共阴极,速度:快速恢复=200mA(Io),正向电流If:3A,正向电压Vf:750mV@3A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:90V,反向漏电流Ir:150µA@90V,FET类型:肖特基免费样片申请ROHMBU52272NUZ-ZE2传感器输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-输出:200mA,电流-电源:60µA,电压-输出（最小值/固定）:1.8V,电压-输入（最大值）:6V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:SSON004X1010,压降（最大值）:0.6V@200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:70dB(1kHz)免费样片申请ROHMRPM-20PBL传感器逻辑类型:或门,逻辑电平-高:3.5V~11V,逻辑电平-低:1.5V~4V,输入数:2,电路数:1Ohms,电流-静态（最大值）:1µA,电流-输出高，低:3.4mA,3.4mA,电压-电源:3V~16V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:5-SSOP,不同V，最大CL时的最大传播延迟:30ns@15V,50pF免费样片申请ROHMRPT-34PB3FL传感器电路数:2,电流-输出/通道:4mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:700nA,电压-输入失调:1mV,电压-电源，单/双（±）:1.8V~5.5V,放大器类型:CMOS,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-SOIC,增益带宽积:4kHz,压摆率:0.0024V/µs免费样片申请ROHMRPMD-0100传感器稳压器数:1Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流-输出:1A,电压-输出:1.8V,电压-输入:2.4V~5.5V,电压-跌落（典型值）:0.4V@1A,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:8-SOIC免费样片申请ROHMBU52054GWZ-E2传感器稳压器数:1Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流-输出:1A,电压-输出:1.25V,电压-输入:2.4V~5.5V,电压-跌落（典型值）:0.4V@1A,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘免费样片申请

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMR413I147050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.0047μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,5x11x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I168050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.0068μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,5x11x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I210050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.01μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,5x11x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I215050T1K电容Film,Radial,Polypropylene,0.015μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,5x11x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I215050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.015μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,6x12x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I222050T1K电容Film,Radial,Polypropylene,0.0047μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,6x12x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I222050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.022μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,7.5x13.5x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I233050T1K电容Film,Radial,Polypropylene,0.033μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,7.5x13.5x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I233050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.033μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,8.5x14.5x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I247050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.047μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,10x16x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413I268050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.068μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,11x19x18mm,15mmLS免费样片申请ROHMR413N247050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.047μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,6x15x26.5mm,22.5mmLS免费样片申请ROHMR413N268050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.068μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,7x16x26.5mm,22.5mmLS免费样片申请ROHMR413N310050T1K电容Film,Radial,Polypropylene,0.1μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,8.5x17x26.5mm,22.5mmLS免费样片申请ROHMR413N310050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.1μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,10x18.5x26.5mm,22.5mmLS免费样片申请ROHMR413N315050T1K电容Film,Radial,Polypropylene,0.15μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,10x18.5x26.5mm,22.5mmLS免费样片申请ROHMR413N315050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.15μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,11x20x26.5mm,22.5mmLS免费样片申请ROHMR413N322050T0K电容Film,Radial,Polypropylene,0.22μF,300VAC,−40°Cto+125°C,THBGradeIIIB,13x22x26.5mm,22.5mmLS免费样片申请

近日，在中国长城科技集团股份有限公司旗下郑州轨道交通信息技术研究院和河南通用智能装备有限公司科研人员奋勇攻关、共同努力下，首台半导体激光隐形晶圆切割机研制成功，填补国内空白，在关键性能参数上处于国际领先水平。我国半导体激光隐形晶圆切割技术取得实质性重大突破，相关装备依赖进口的局面即将打破。该装备是郑州轨交院与河南通用历时一年联合攻关研发成功，最终实现了最佳光波和切割工艺，开启了我国激光晶圆切割行业发展的序幕。郑州轨交院成立于2017年，几年来，该院围绕自主安全工业控制器、高端装备制造和新一代信息技术突破开展科研创新、技术攻关。被中国长城旗下公司收购后，郑州轨交院科研创新、事业发展进入新一轮加速发展期。晶圆切割是半导体封测工艺中不可或缺的关键工序。中国长城副总裁、郑州轨交院院长刘振宇介绍，与传统的切割方式相比，激光切割属于非接触式加工，可以避免对晶体硅表面造成损伤，并且具有加工精度高、加工效率高等特点，可以大幅提升芯片生产制造的质量、效率、效益。该装备通过采用特殊材料、特殊结构设计、特殊运动平台，可以实现加工平台在高速运动时保持高稳定性、高精度，运动速度可达500mm/S，效率远高于国外设备。在光学方面，根据单晶硅的光谱特性，结合工业激光的应用水平，采用了合适的波长、总功率、脉宽和重频的激光器，最终实现了隐形切割。在影像方面，采用不同像素尺寸、不同感光芯片的相机，配以不同功效的镜头，实现了产品轮廓识别及低倍、中倍和高倍的水平调整。该装备还搭载了同轴影像系统，可以确保切割中效果的实时确认和优化，实现最佳切割效果。高端智能装备是国之重器，是制造业的基石，尤其是半导体领域内高端智能装备，在国民经济发展中更是具有举足轻重的作用。专家评价首台半导体激光隐形晶圆切割机研制成功，对进一步提高我国智能装备制造能力具有里程碑式的意义。该装备的成功研制也创立了央企、民企共扛使命、资源互补、平台共享、集智创新的新模式，也是央企、民企联合发挥各自优势，通过产学研用相结合，解决国家重大智能装备制造瓶颈问题的优秀典范。中国长城董事长宋黎定说：“自主安全、核心技术始终是中国长城科研创新的聚焦主题，也是不变的工作主题。在国家发展的关键时期，中国长城的科研人员更要时刻牢记‘将核心技术掌握在自己手里’，牢记‘实践反复告诉我们，关键核心技术是要不来、买不来、讨不来的。央企义不容辞地扛起责任，誓当主力军，勇攀核心技术突破高峰。”（钟长萱）转载自中文业界资讯站。

除了拥有出色的性能，天玑820在5G方面也有着不错的表现。2020年被普遍认为是5G开始走入普及阶段的一年，不只是手机厂商，对于产业链上下游所有相关企业来说，都是一个非常重要的时间节点。在这轮新技术更迭中，抓住机遇的“人”很有可能实现“弯道超车”，相反也免不了有些品牌会就此退出历史舞台。至少目前来看，联发科属于前者。进入到2020年之后，他们明显加快了产品更新换代的节奏，继5月12日正式发布全新一代旗舰级5G芯片天玑1000Plus之后，现在其又带来了中高端定位的天玑8205G芯片，下面一起来了解下。中端最强？对于天玑820，发布会上官方打出了“综合表现堪称同级最强”的标语。和不久前发布的天玑1000Plus一样，天玑820也采用了台积电7nm制作工艺，CPU部分为“4+4”架构设计，其中包括4个主频为2.6GHz的Cortex-A76大核以及4个主频为2.0GHz的Cortex-A55高能效核心，MaliG57MC5GPU。根据官方公布的数据，天玑820的多核性能比骁龙765G高37%左右。另外借助搭载的独立AI处理器APU3.0，它的苏黎世AI跑分也大幅领先于骁龙765G（大概3倍）。发布会前我们抢先体验了将首发搭载天玑820的Redmi10X，并且利用安兔兔和Geekbench5两款软件对其进行了跑分测试，就结果来看，天玑820的安兔兔跑分为408529分，Geekbench5单核成绩为641分，多核2538分。随后安兔兔官方也放出了最新安卓手机SoC性能天梯图，横向对比，它和麒麟985处于同一档，领先于高通845、麒麟820以及高通765G芯片，单就跑分而言，天玑820是现阶段中端5GSoC中最为强劲的一个，这次联发科依旧没有令人失望。性能之外，天玑820在其它方面也做了比较有针对性的升级处理。5G相关，它支持NSA和SA两种组网方式、5G+5G双卡双待以及5G双载波聚合。双模5G这件事情去年大家讨论的比较多，不过随着几家芯片厂商纷纷推出新一代5G基带，进入到2020年之后这部分的争议也基本停歇了，这里简单来说下5G双载波聚合。理论上，支持单载波的5G手机只能接入一个5G频段，而支持双载波聚合的5G手机则可以同时接入两个5G频段，所带来的直接好处是能够通过频段切换的方式保证5G网络的连接稳定性，另外也可以为手机带来比单载波5G手机更快的上行/下载速度。值得一提的是，针对5G时代手机能耗不容易控制的问题，联发科在天玑820身上引入了MediaTek5GUltraSave省电技术，官方称借助该技术，其最多可以降低50%的5G功耗。当然，具体到每款手机上这个数字或有所区别，还是要看各家厂商具体调校。除了以上我们提到的这些，天玑820一个很大的升级点在于加入了借助MediaTekMiraVision画质引擎实现了对高刷新率屏幕的支持，不过需要注意的是，其只支持到了120Hz，而早几天发布的天玑1000Plus则支持144Hz，这也为接下来的中端5G手机定下了一个基调。这次能成吗？每一次联发科发布全新的芯片平台都会吸引到众多关注度，但一个现实的情况是，过去两年里联发科相对主要竞争对手高通以及海思而言，装机量确实并不理想。以去年十一月份发布的天玑1000为例，尽管大家的呼声很高，但最终也并没有能够落地到产品端。“MTKYes”后边是以感叹号还是问号结尾，是由多方面因素来决定的。在这件事情上我们可以从两个大的维度上来看，其一是本身硬实力，另外也离不开大环境支持。硬实力方面，上一部分我们也讲到了，无论是官方公布的数据还是我们实测下来的跑分成绩，天玑820在与目前一众中端5G芯片的竞争中都占据一定优势，换句话说，将这颗芯片用于5G终端产品上完全没有问题，这也可以打消一部分手机厂商对于性能表现的担忧。在评估一款芯片是否足够出色的时候，性能固然重要，但显然并非全部。当品牌力相对其它竞争对手相对处于下风想要实现赶上或者超越的时候，往往市场大环境也是不可忽略的一个重要因素。对于联发科而言，现在恰恰是一个很好的机会。了解手机行业的朋友应该知道，抛开尚未正式有真机落地的天玑820，目前市面上主流的中端5G芯片大概有三款，分别为骁龙765G、麒麟820以及三星和vivo联合研发的Exynos980，其中麒麟820只有华为系在用，而Exynos980则是vivo在用。从某种角度上来说，留给其它手机厂商可用的5G中端芯片只有骁龙765G。但结合以往我们的测试数据来看，骁龙765G的实际表现确实并不尽如人意，和8系列旗舰骁龙865之间形成了一个性能“真空地带”，尽管前不久骁龙768G被推向市场，也依旧很难弥补这个空档。这也为联发科天玑820留下了足够的生存空间（对于麒麟820也同样如此），它的到来不仅为厂商们提升中端5G手机性能提供了不错的可选项，也让联发科切入5G市场变得相对更加容易，可以说这次“发哥”掐点非常精准。自身不错的硬实力表现和对手留出市场“空白”之外，今年联发科在市场策略上所做出的改变其实也是显而易见的，从联合iQOO首发天玑1000+到再次携手Redmi将天玑820推向市场，和大厂进行深度合作意味着天玑的装机量将会有一定程度上的保证。显然，装机量对于芯片厂商来讲是一切的前提，纸面数据再强终究需要落地到产品端去做验证，只有拥有足够的装机量，才有机会获得厂商以及市场的认可，从而实现良性循环。总的来说，无论是自身技术水准还是外部市场环境，2020年都是联发科非常有机会取得突破的一年，经历了过去几年的不如意之后，这次大概率“能成”。5G的普及需要共同来完成文章开头我们也提到，今年是5G进入到普及阶段的一年，但想要加快这个进程显然并非一件容易的事情，需要更多厂商一起来完成。从行业发展的角度出发，联发科重新回归到大舞台无疑将会成为推动5G手机向大众化迈进的速度。至于未来联发科的市场表现如何还是要时间来验证，但对于手机厂商以及像你我这样的普通大众消费者来说，这家曾经在4G时代取得过不错战绩的芯片厂商可以重整旗鼓，无论如何都不是一件坏事，毕竟，行业的进步离不开竞争。转载自中文业界资讯站。

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMR6076MNZ1C9分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:76A(Tc),电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大）@Vds:25V,电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs:10V,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:115nC,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7nF,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:55mOhms@38A,10V,Pd-功率耗散(Max):740W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMR6076ENZ1C9分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:76A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:260nC@10V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6500pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:42mOhms@44.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMR6024ENZC8分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:24A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-3P-3,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:70nC@10V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1650pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:165mOhms@11.3A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMSCT3160KLGC11分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:18V,连续漏极电流Id:17A(Tc),漏源极电压Vds:1200V,栅极电压Vgs:+22V,-4V,工作温度:175°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:42nC@18V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:398pF@800V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V@2.5mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:208mOhms@5A,18V,Pd-功率耗散(Max):103W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMR6015ENZC8分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:15A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-3P-3,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:40nC@10V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:910pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:290mOhms@6.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMR6047ENZ1C9分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:47A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:145nC@10V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3850pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:72mOhms@25.8A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMRFUH30TS6DGC11分立半导体输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:2.8V,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,复位超时:可调节/可选择,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:监视器电路免费样片申请ROHMRFN30TS6SGC11分立半导体输出端数量:1Output,输出电流:2A,湿气敏感性等级（MSL）:3(168小时),工作电源电流(mA):2mA,工作电源电压:8Vto28V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:28-VSSOP,Pd-功率耗散(Max):4.7W免费样片申请ROHMR6030MNX分立半导体输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:2,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:500mA,电压-负载:3V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：2,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB开关,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,导通电阻（典型值）:110毫欧免费样片申请ROHMR6030KNZ1C9分立半导体频率-开关:10kHz~800kHz,输出配置:正或负,输出类型:晶体管驱动器,输出数:2,电压-电源（Vcc/Vdd）:3.6V~35V,时钟同步:无,控制特性:空载时间控制,软启动,拓扑:降压,升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:16-SOP,同步整流器:是,占空比（最大）:1Ohms,功能:升压,降压免费样片申请ROHMR8005ANX分立半导体输出配置:正,输出类型:可调式,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):50µA,电流-输出:500mA,电压-输出（最小值/固定）:2.8V,电压-输出（最大值）:12V,电压-输入（最大值）:36V,湿气敏感性等级（MSL）:1(无限),工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:TO-252-5,DPak(4引线+接片),TO-252AD,压降（最大值）:0.48V@200mA,保护功能:过流,超温,短路,PSRR:55dB(120Hz)免费样片申请ROHMSH8J66TB1分立半导体输出配置:半桥(2),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:3V~5.5V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMR6030ENZ1C9分立半导体运行时间—最大值:25us,输出端数量:1Output,输出电流:800mA,空闲时间—最大值:25us,电源电压-最小:4V,电源电压-最大:18V,电流限制:1.45A,工作电源电压:4Vto18V,工作温度:-40°C~150°C,导通电阻—最大值:650mOhms免费样片申请ROHMRGT8BM65DTL分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:4V,10V,连续漏极电流Id:7A(Ta),漏源极电压Vds:45V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOIC,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:47.6nC@5V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4100pF@10V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:27mOhms@7A,10V,Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),FET类型:P-Channel免费样片申请ROHMRSH070P05GZETB分立半导体输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:1Ohms,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:500mA,电压-负载:2.7V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：1,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB开关,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,导通电阻（典型值）:80毫欧免费样片申请ROHMRS1G300GNTB分立半导体频率:1MHz,输出数:6,调光:I²C,电流-输出/通道:20mA,电压-供电（最高）:5.5V,电压-供电（最低）:2.7V,拓扑:切换式电容器(充电泵),工作温度:-30°C~85°C(TA),封装/外壳:16-VQFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMRGW00TS65DGC11分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:40nC@10V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:196mOhms@9.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):231W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMR6020KNZ1C9分立半导体输出端数量:1Output,输出电流:3A,输出电压:1Vto28.8V,输入电压:7Vto36V,系列:BD9E303EFJ-LB(H2),最小输入电压:7V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开发套件:BD9E303EFJ-EVK-001,开关频率:0.3MHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~150°C,封装/外壳:8-SOIC,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMSH8J65TB1分立半导体输出配置:半桥(2),电流-输出:700mA,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-电源:8V~28V,湿气敏感性等级（MSL）:1(无限),接口:PWM,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMRS1G260MNTB分立半导体驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:8A(Ta),漏源极电压Vds:800V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-220-3,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:39nC@10V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1080pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:1.03Ohms@4A,10V,Pd-功率耗散(Max):50W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMRGT00TS65DGC11分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:2,电流-静态（Iq):0.7mA,电流-输出:500mA,500mA,电流-电源（最大值）:1.6mA,电压-输出（最小值/固定）:1.8V,3.3V,电压-输入（最大值）:16V,工作温度:-25°C~105°C,封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA,保护功能:过流,超温,PSRR:58dB(120Hz)免费样片申请ROHMR8008ANX分立半导体输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:4.1V,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,复位超时:可调节/可选择,复位:高有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:监视器电路免费样片申请ROHMRB085BM-60TL分立半导体输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:2,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:1.5A,电压-负载:2.7V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：2,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB开关,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,导通电阻（典型值）:80毫欧免费样片申请ROHMRB085BM-90TL分立半导体输出配置:前置驱动器-半桥(3),电流-输出:1.5A,电机类型-AC，DC:无刷DC(BLDC),电压-电源:8V~28V,湿气敏感性等级（MSL）:1(无限),接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:24-VFQFN,功能:驱动器免费样片申请ROHMHP8MA2TB1分立半导体速度:400kHz,电压-电源:2.5V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-LSSOP,存储容量:1Kb(128x8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMHP8S36TB分立半导体高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:3V,负载调节:150mV,线路调整率:100mV,系列:BAxxCC0FP,电压调节准确度:2%,极性:Positive,最小输入电压:4V,最大输入电压:25V,工作温度:-40°C~125°C,宽度:5.5mm,回动电压—最大值:500mVat500mA,回动电压:0.3V,功率（W）:1.2W免费样片申请ROHMRF505BM6STL分立半导体高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:8V,负载调节:50mV,线路调整率:20mV,系列:BAxxCC0FP,电压调节准确度:2%,极性:Positive,最小输入电压:4V,最大输入电压:25V,工作温度:-40°C~125°C,宽度:5.5mm,回动电压—最大值:500mV,回动电压:300mV,功率（W）:1.2W,PSRR/纹波抑制—典型值:55dB,Ib-输入偏流:5mA免费样片申请ROHMRGT80TS65DGC11分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):6µA,电流-输出:1A,电流-电源（最大值）:15µA,电压-输出（最小值/固定）:6V,电压-输入（最大值）:14V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:8-SOIC,压降（最大值）:1.2V@1A,保护功能:过流,超温,软启动免费样片申请ROHMR6030KNX分立半导体输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:1Ohms,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:250mA,电压-负载:2.7V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：1,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB开关,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,导通电阻（典型值）:80毫欧免费样片申请ROHMRGTH80TS65DGC11分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态:90µA,电流-输出:200mA,电流-电源（最大值）:150µA,电流-电源:90µA~150µA,电压-输出（最小值/固定）:3.3V,电压-输入（最大值）:42V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~150°C,封装/外壳:SOT-223-4F,压降（最大值）:0.45V@100mA,保护功能:过流,超温,PSRR:65dB(120Hz)免费样片申请ROHMRGTH00TS65GC11分立半导体电压-电源:1.7V~5.5V,时钟频率:1MHz,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,存储容量:512Kb(64Kx8),存储器类型:非易失,存储器接口:I²C,写周期时间-字，页:5ms免费样片申请ROHMRCJ700N20TL分立半导体输出类型:满摆幅,电路数:1Ohms,电流-输出/通道:1mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:440µA,电压-输入失调:1mV,电压-电源，单/双（±）:5V~14.5V,±2.5V~7.25V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:SC-74A,SOT-753,增益带宽积:1MHz,压摆率:1V/µs免费样片申请ROHMRPI-121分立半导体集电极连续电流:30A,集电极最大连续电流Ic:58A,集电极—射极饱和电压:1.6V,集电极—发射极最大电压VCEO:650V,系列:RGTH60TS65,栅极—射极漏泄电流:±200nA,栅极/发射极最大电压:±30V,工作温度:-40°C~175°C,封装/外壳:Tube,在25C的连续集电极电流:58A,功率（W）:194W免费样片申请ROHMR6020KNJTL分立半导体逻辑类型:移位寄存器,输出类型:三态,电压-电源:3V~18V,每元件位数:8,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:16-SOIC,功能:串行至并行,元件数:1Ohms免费样片申请ROHMRGTH60TS65DGC11分立半导体输出类型:电流,电压-电源:2.4V~5.5V,波长:560nm,接近探测:无,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:5-WSOF,FET类型:环境免费样片申请ROHMRFN30TS6DGC11分立半导体速度:标准恢复>500ns,>200mA(Io),正向电流If:5A,正向电压Vf:920mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:200V,反向漏电流Ir:1µA@200V,反向恢复时间trr:25ns,FET类型:标准免费样片申请ROHMRF501BM2STL分立半导体速度:标准恢复>500ns,>200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:1.5V@10A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:350V,反向漏电流Ir:10µA@350V,反向恢复时间trr:30ns,FET类型:标准免费样片申请ROHMRF601BM2DTL分立半导体高度:1.15mm,长度:5mm,通道数量:8Channel,输出类型:OpenDrain,输出电流:50mA,输入电压:3Vto5.5V,电源电流—最大值:1mA,工作频率:1.25MHz,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:SSOP-B-16,宽度:4.4mm,功率（W）:0.87W免费样片申请ROHMRFN10BM3STL分立半导体高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出配置:正,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:5V,负载调节:75mV,线路调整率:35mV,系列:BA50BC0WFP,稳压器数:1Ohms,电流-静态:0.5mA,电流-输出:1A,电流-电源（最大值）:0.9mA,电流-电源:0.5mA~0.9mA,电压调节准确度:2%,电压-输出（最小值/固定）:5V,电压-输入（最大值）:16V,极性:Positive,最小输入电压:6V,最大输入电压:16V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:TO-252-5,宽度:5.5mm,参考电压:1.28V,功率（W）:1.3W,保护功能:过流,超温,PSRR:55dB(120Hz)免费样片申请ROHMRGT40TS65DGC11分立半导体速度:标准恢复>500ns,>200mA(Io),正向电流If:6A,正向电压Vf:1.1V@6A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:400V,反向漏电流Ir:10µA@400V,FET类型:标准免费样片申请ROHMRGTH40TS65DGC11分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):0.35mA,电流-输出:500mA,电流-电源（最大值）:550µA,电压-输出（最小值/固定）:1.2V,电压-输入（最大值）:5.5V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:8-SOIC,保护功能:过流,超温,PSRR:50dB(120Hz)免费样片申请ROHMRCX700N20分立半导体电压-电源:1.6V~5.5V,时钟频率:20MHz,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:256Kb(32Kx8),存储器类型:非易失,存储器格式:EEPROM,存储器接口:SPI,写周期时间-字，页:5ms免费样片申请ROHMRR601BM4STL分立半导体配置:1对共阴极,速度:快速恢复=200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:880mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:150V,反向漏电流Ir:15µA@150V,FET类型:肖特基免费样片申请ROHMR6015ENX分立半导体输出类型:满摆幅,电路数:2,电流-输出/通道:12mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:550µA,电压-输入失调:1mV,电压-电源，单/双（±）:1.8V~5.5V,±0.9V~2.75V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-SOP,增益带宽积:2MHz,压摆率:1.1V/µs免费样片申请ROHMRCX511N25分立半导体输出类型:满摆幅,电路数:2,电流-输出/通道:12mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:180µA,电压-输入失调:1mV,电压-电源，单/双（±）:1.8V~5.5V,±0.9V~2.75V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,增益带宽积:900kHz,压摆率:0.4V/µs免费样片申请ROHMRB088BM150TL分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):0.5mA,电流-输出:1A,电流-电源（最大值）:900µA,电压-输出（最小值/固定）:3V,电压-输入（最大值）:16V,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,保护功能:过流,超温免费样片申请ROHMRFN10NS3STL分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):0.5mA,电流-输出:1A,电流-电源（最大值）:900µA,电压-输出（最小值/固定）:1.5V,电压-输入（最大值）:16V,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,保护功能:过流,超温免费样片申请ROHMRGTH50TS65GC11分立半导体稳压器数:1Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流-输出:1A,电压-输出:6V,电压-输入:8.5V~21V,电压-跌落（典型值）:2V@1A,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63免费样片申请ROHMRBQ10BM65ATL分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):4.5mA,电流-输出:1A,电流-电源（最大值）:6mA,电压-输出（最小值/固定）:24V,电压-输入（最大值）:33V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,压降（最大值）:2V@1A(标准),保护功能:过流,超温,PSRR:58dB(120Hz)免费样片申请ROHMRBQ10BM45ATL分立半导体速度:2MHz,电压-电源:1.8V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:Microwire3线串行,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:8Kb(512x16),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMRSJ550N10TL分立半导体速度:1MHz,电压-电源:1.7V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb(32Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMRPI-222分立半导体速度:400kHz,电压-电源:1.6V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb(32Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMRCX330N25分立半导体速度:400kHz,电压-电源:1.6V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:256Kb(32Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMR6009ENX分立半导体组织:4kx8,电源电流—最大值:4mA,电源电压-最小:2.5V,电源电压-最大:5.5V,最大时钟频率:10MHz,数据保留:100Year,接口类型:Serial,SPI,工作电源电压:2.5Vto5.5V,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:SOP-8,存储容量:32kB免费样片申请ROHMRS1E280GNTB分立半导体稳压器数:1Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流-输出:500mA,电压-输出:3V,电压-输入:最高5.5V,电压-跌落（典型值）:0.12V@200mA,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63免费样片申请ROHMR6020ENX分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-输出:500mA,电流-电源:0.35mA~0.55mA,电压-输出（最小值/固定）:2.5V,电压-输入（最大值）:5.5V,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:TO-252,(D-Pak),压降（最大值）:0.2V@200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:50dB(120Hz)免费样片申请ROHMRB085BM-30TL分立半导体输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-输出:500mA,电流-电源:0.35mA~0.55mA,电压-输出（最小值/固定）:3.3V,电压-输入（最大值）:5.5V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:TO-252-5,压降（最大值）:0.2V@200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:50dB(120Hz)免费样片申请ROHMRPI-0226分立半导体电路数:4,电流-漏泄（IS（off））（最大值）:300nA,电压-电源，单（V+）:3V~18V,沟道电容（CS(off），CD（off））:10pF,开关电路:SPST-常开,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:14-LSSOP,导通电阻（最大值）:280欧姆,多路复用器/解复用器电路:1:1,串扰:-50dB@1MHz免费样片申请ROHMRGTH40TS65GC11分立半导体输出类型:满摆幅,电路数:1Ohms,电流-输出/通道:2mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:400nA,电压-输入失调:1mV,电压-电源，单/双（±）:1.8V~5.5V,±0.9V~2.75V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:SOT-665,增益带宽积:2.5kHz,压摆率:0.0025V/µs免费样片申请ROHMR6020ENJTL分立半导体稳压器数:1Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流-输出:2A,电压-输出:3.3V,电压-输入:最高25V,电压-跌落（典型值）:0.45V@2A,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:TO-220-3整包免费样片申请

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMBM63764S-VA集成电路配置:三相反相器,电流:15A,电压-隔离:1500Vrms,电压:600V,封装/外壳:25-PowerDIP模块,FET类型:IGBT免费样片申请ROHMBU92747KV-E2集成电路电压-电源:1.62V~1.98V,接口:I²C,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:48-LQFP,协议:IRDA®,功能:控制器免费样片申请ROHMBM92T10MWV-ZE2集成电路电压-电源:4.75V~20V,工作温度:-30°C~105°C,封装/外壳:40-VFQFN裸露焊盘免费样片申请ROHMBU21023MUV-E2集成电路触摸屏:4线电阻式,电流-电源:4mA,电压-电源:2.7V~3.6V,接口:I²C,串行,SPI,工作温度:-20°C~85°C,封装/外壳:28-VFQFN裸露焊盘,分辨率（位）:8b免费样片申请ROHMBM92A12MWV-ZE2集成电路电压-电源:4.75V~20V,湿气敏感性等级（MSL）:3(168小时),工作温度:-30°C~105°C,封装/外壳:40-VFQFN裸露焊盘免费样片申请ROHMBD37534FV-E2集成电路通道数:2,电压-电源:7V~9.5V,接口:I²C,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:28-LSSOP,功能:音调处理器免费样片申请ROHMBD37533FV-E2集成电路通道数:5,电压-电源:7V~9.5V,接口:I²C,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:28-SSOPB,功能:音调处理器免费样片申请ROHMBU92001KN-E2集成电路高度:1.2mm,0.23mm,长度:5mm,系列:BU92001KN,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:20-VFQFN,宽度:5mm,FET类型:编码器,解码器免费样片申请ROHMBU2508FV-E2集成电路输出类型:Voltage-Buffered,电压-电源，数字:5V,架构:R-2R,数模转换器数:4,数据接口:SPI,建立时间:20µs,差分输出:无,工作温度:-30°C~85°C,封装/外壳:14-LSSOP,参考类型:电源,位数:10,INL/DNL（LSB）:±3.5(最大),±1(最大)免费样片申请ROHMBD9778F-E2集成电路频率-开关:50kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出电流:2:00AM,输出电压:1V,输出数:1Ohms,系列:BD,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:35V,电压-输入（最小值）:7V,最小输入电压:7V,最大输入电压:35V,拓扑结构:Buck,拓扑:降压,开关频率:102kHz,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:8-SOP,同步整流器:无,FET类型:VoltageConverter免费样片申请ROHMBH2226FV-E2集成电路输出类型:Voltage-Buffered,电压-电源，模拟:2.7V~5.5V,电压-电源，数字:2.7V~5.5V,架构:R-2R,数模转换器数:8,数据接口:SPI,建立时间:100µs,差分输出:无,工作温度:-20°C~85°C,封装/外壳:16-LSSOP,位数:8,INL/DNL（LSB）:±1.5(最大),±1(最大)免费样片申请ROHMBD8374HFP-MTR集成电路频率:0Hz~2.5GHz,输出数:1Ohms,调光:PWM,系列:汽车级,AEC-Q100,电流-输出/通道:500mA,电压-供电（最低）:4.5V,电压-供电（最高）:42V,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:HRP7,内部开关:是,FET类型:线性免费样片申请ROHMBU2507FV-E2集成电路输出类型:Voltage-Buffered,电压-电源，数字:5V,架构:R-2R,数模转换器数:6,数据接口:SPI,建立时间:20µs,差分输出:无,工作温度:-30°C~85°C,封装/外壳:14-SSOP,参考类型:电源,位数:10,INL/DNL（LSB）:±3.5(最大),±1(最大)免费样片申请ROHMBR24G1MFJ-3AGTE2集成电路速度:1MHz,电压-电源:1.7V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:1Mb(128Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMBD3812F-E2集成电路通道数:2,电压-电源:5V~7.3V,接口:串行,工作温度:-20°C~75°C(TA),封装/外壳:14-SOIC,功能:音频信号处理器免费样片申请ROHMBD9G341AEFJ-E2集成电路高度:1mm,长度:4.9mm,输出端数量:1Output,输出电流:3A,输入电压:12Vto76V,电源电压-最小:12V,最小输入电压:12V,最大输入电压:76V,拓扑结构:Buck,开关频率:750kHz,工作温度:-40°C~85°C,宽度:3.9mm,功率（W）:3.76W,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD90620EFJ-CE2集成电路输出端数量:1Output,输出电流:2.5A,输出电压:0.8Vto36V,输入电压:13.2V,最小输入电压:3.5V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开关频率:50kHzto600kHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:HTSOP-J-8,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBU90R102-Z集成电路驱动器/接收器数:0/10,电压-电源:2.3V~3.6V,数据速率:1.12Gbps,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:144-LQFP,协议:LVDS,FET类型:接收器免费样片申请ROHMBH2221FV-E2集成电路输出类型:Voltage-Buffered,电压-电源，数字:2.7V~5.5V,架构:R-2R,数模转换器数:12,数据接口:SPI,建立时间:100µs,差分输出:无,工作温度:-20°C~85°C,封装/外壳:20-LSSOP,位数:8,INL/DNL（LSB）:±1.5(最大),±1(最大)免费样片申请ROHMBR24G1MF-3AGTE2集成电路速度:1MHz,电压-电源:1.7V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:1Mb(128Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMBD6380EFV-E2集成电路输出配置:半桥(4),系列:BD,电流-输出:500mA,电机类型-步进:双极性,电压-负载:4V~13.5V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBU2152FS-E2集成电路输出电流:25mA,系列:BU2152FS,电源电压-最小:2.7V,电源电压-最大:5.5V,电压-电源:2.7V~5.5V,激励器数量:24Driver,工作电源电流(mA):5uA,工作电源电压:2.7Vto5.5V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:32-SSOPA,功率（W）:4/5W,FET类型:驱动器免费样片申请ROHMBD62222HFP-TR集成电路输出配置:半桥(2),电流-输出:2.5A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:6V~27V,接口:并联,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7引线+接片),TO-263CA,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD8306MUV-E2集成电路频率-开关:1MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2A(开关),电压-输出（最小值/固定）:1.8V,电压-输出（最大值）:5.2V,电压-输入（最大值）:5.5V,拓扑:降压-升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:16-VFQFN裸露焊盘,同步整流器:是,功能:升压/降压免费样片申请ROHMBD63005AMUV-E2集成电路输出配置:前置驱动器-半桥(3),电流-输出:2A,电机类型-AC，DC:无刷DC(BLDC),电压-负载:10V~28V,电压-电源:10V~28V,接口:逻辑,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:VQFN040-V6060,功能:驱动器免费样片申请ROHMBH2228FV-E2集成电路输出类型:Voltage-Buffered,电压-电源，数字:2.7V~5.5V,架构:R-2R,数模转换器数:6,数据接口:SPI,建立时间:100µs,差分输出:无,工作温度:-20°C~85°C,封装/外壳:14-LSSOP,位数:8,INL/DNL（LSB）:±1.5(最大),±1(最大)免费样片申请ROHMBU2505FV-E2集成电路输出类型:Voltage-Buffered,电压-电源，数字:5V,架构:R-2R,数模转换器数:10,数据接口:SPI,建立时间:20µs,差分输出:无,工作温度:-30°C~85°C,封装/外壳:20-SSOP-B,INL/DNL（LSB）:±3.5,±1免费样片申请ROHMBU9882FV-WE2集成电路速度:400kHz,电压-电源:2.5V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:14-LSSOP,存储容量:2Kb(128x8x2),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMBD8LA700EFV-CE2集成电路驱动器/接收器数:2/2,电压-电源:3V~3.6V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:16-SSOPB,双工:全,FET类型:收发器免费样片申请ROHMBU90LV049A-E2集成电路输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:1Ohms,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:2A,电压-负载:3V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：1,故障保护:超温,UVLO,接口:开/关,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,导通电阻（典型值）:50毫欧免费样片申请ROHMBU90LV047A-E2集成电路电压-电源:1.8V~5.5V,时钟频率:10MHz,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:1Mb(128Kx8),存储器类型:非易失,存储器格式:EEPROM,存储器接口:SPI,写周期时间-字，页:5ms免费样片申请ROHMBR25G1MFJ-3GE2集成电路输出配置:半桥(4),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:2V~8V,电压-电源:2V~8V,接口:并联,工作温度:-30°C~150°C(TJ),封装/外壳:20-SSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBH2227FV-E2集成电路输出配置:半桥(2),电流-输出:500mA,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:4.5V~14V,电压-电源:4.5V~14V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD7931F-E2集成电路输出类型:2通道(立体声),电压-电源:4.5V~14V,工作温度:-25°C~75°C(TA),封装/外壳:14-LSSOP,FET类型:AB类免费样片申请ROHMBA3308FV-E2集成电路电压-电源:1.8V~5.5V,时钟频率:10MHz,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:1Mb(128Kx8),存储器类型:非易失,存储器格式:EEPROM,存储器接口:SPI,写周期时间-字，页:5ms免费样片申请ROHMBR25G1MF-3GE2集成电路频率:600kHz,输出数:1Ohms,调光:PWM,电流-输出/通道:30mA,电压-供电（最高）:5.5V,电压-供电（最低）:2.7V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBA3308F-E2集成电路输出配置:正,输出类型:可调(固定),稳压器数:1Ohms,电流-输出:500mA,电流-电源:90µA,电压-输出（最小值/固定）:跟踪,电压-输入（最大值）:36V,控制特性:使能,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:TO-252-5,压降（最大值）:0.48V@200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:55dB(120Hz)免费样片申请ROHMBD87A29FVM-TR集成电路输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:3.4V,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,复位超时:可调节/可选择,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:监视器电路免费样片申请ROHMBU2506FV-E2集成电路速度:400kHz,电压-电源:1.7V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb(32Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMBR24S256F-WE2集成电路输出:I²C,电流-电源（最大值）:260µA@2.5V,电压-电源:2.3V~3.6V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-UDFN裸露焊盘免费样片申请ROHMBD6221F-E2集成电路驱动器/接收器数:0/4,电压-电源:3V~3.6V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:16-SSOPB,FET类型:接收器免费样片申请ROHMBU7150NUV-E2集成电路输出配置:正,输出类型:可调式,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):50µA,电流-输出:500mA,电压-输出（最小值/固定）:2.8V,电压-输出（最大值）:12V,电压-输入（最大值）:36V,湿气敏感性等级（MSL）:1(无限),工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:TO-252-5,DPak(4引线+接片),TO-252AD,压降（最大值）:0.48V@200mA,保护功能:过流,超温,短路,PSRR:55dB(120Hz)免费样片申请ROHMBU90LV048-E2集成电路静态电流:30uA,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:500mA,输出电压:3.3V,负载调节:20mV,线路调整率:10mV,系列:BD,极性:Positive,最小输入电压:4.5V,最大输入电压:36V,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:TO-252-3,回动电压—最大值:0.48Vat200mA,回动电压:0.25Vat200mA,功率（W）:1.2W,偏差:±2%,PSRR/纹波抑制—典型值:55dB,Ib-输入偏流:30uA免费样片申请ROHMBU2092FV-E2集成电路高度:1.50mm,音频-负载阻抗:55kOhms,长度:5mm,通道数量:2Channel,输出类型:2通道(立体声),系列:BA3121,电源电压-最小:4V,电源电压-最大:18V,电压-电源:4V~18V,工作电源电流(mA):9mA,工作电源电压:12V,工作温度:-30°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,宽度:4.4mm,增益:-0.04dB,功率（W）:0.45W,THD+噪声:0.002%,SR-转换速率:2V/us,PSRR-电源抑制比:80dB,FET类型:AB类,CMRR-共模抑制比:57dB免费样片申请ROHMBA3121F-E2集成电路输出类型:Voltage-Buffered,电压-电源，数字:2.7V~5.5V,架构:R-2R,数模转换器数:3,数据接口:SPI,建立时间:100µs,差分输出:无,工作温度:-30°C~85°C,封装/外壳:8-MSOP,位数:8,INL/DNL（LSB）:±1.5(最大),±1(最大)免费样片申请ROHMBH2220FVM-TR集成电路输出配置:前置驱动器-半桥(3),电流-输出:5mA,电机类型-AC，DC:无刷DC(BLDC),电压-电源:8V~26.4V,湿气敏感性等级（MSL）:1(无限),接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:28-VFQFN,功能:驱动器免费样片申请ROHMBR24A16F-WME2集成电路电路数:4,电流-输出/通道:30mA,电流-输入偏置:100nA,电流-电源:8mA,电压-输入失调:1.5mV,电压-电源，单/双（±）:3V~36V,±1.5V~18V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:14-SOIC,增益带宽积:4MHz,压摆率:10V/µs免费样片申请ROHMBA3474F-E2集成电路输出类型:Digital,系列:KXCJ9,电源电压-最小:1.8VDC,电源电压-最大:3.6VDC,灵敏度:1024count/g,接口类型:I2C,工作温度:-40°C~85°C,加速:2g,4g,8g,分辨率:8bit,传感轴:X,Y,Z,传感器类型:3-axis免费样片申请ROHMBA3474FV-E2集成电路频率-开关:120kHz,输出隔离:隔离,电压-电源（Vcc/Vdd）:15V~27.5V,电压-启动:19.5V,故障保护:限流,过载,过压,拓扑:反激,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP-J,内部开关:无免费样片申请ROHMBH76330FVM-TR集成电路速度:20MHz,电压-电源:1.7V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:SPI串行,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb(32Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMBR25S256F-WE2集成电路驱动器/接收器数:1/0,电压-电源:2.7V~5.5V,工作温度:-25°C~75°C,封装/外壳:16-SSOPA,FET类型:驱动器免费样片申请ROHMBR25S256FJ-WE2集成电路频率-开关:600kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:300mA,电压-输出（最小值/固定）:3.33V,电压-输出（最大值）:3.47V,电压-输入（最小值）:1.8V,电压-输入（最大值）:5.5V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:10-uFDFN裸露焊盘,同步整流器:是,功能:升压免费样片申请ROHMBU2090FS-E2集成电路输出配置:半桥(2),电流-输出:500mA,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:3V~5.5V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD750L2FP-CE2集成电路频率:150kHz,输出数:1Ohms,调光:模拟,PWM,电压-供电（最高）:18V,电压-供电（最低）:9V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:18-SOIC,内部开关:无,FET类型:DCDC控制器免费样片申请ROHMBR24L64FJ-WE2集成电路电路数:2,电流-输出/通道:30mA,电流-输入偏置:100nA,电流-电源:4mA,电压-输入失调:1.5mV,电压-电源，单/双（±）:3V~36V,±1.5V~18V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-LSSOP,增益带宽积:4MHz,压摆率:10V/µs免费样片申请ROHMBA3472F-E2集成电路连续漏极电流Id:9A,漏源极电压Vds:4V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:35nC@5V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF@10V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:18.5mOhms@9A,10V,Pd-功率耗散(Max):2W免费样片申请ROHMBA3472FV-E2集成电路驱动器/接收器数:12/0,电压-电源:2.7V~5.5V,工作温度:-25°C~75°C,封装/外壳:18-SOP,FET类型:驱动器免费样片申请ROHMBU2092F-E2集成电路电压-电源:1.8V~5.5V,时钟频率:400kHz,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOP,存储容量:64Kb(8Kx8),存储器类型:非易失,存储器接口:I²C,写周期时间-字，页:5ms免费样片申请ROHMBR24L64F-WE2集成电路输出类型:LVCMOS,输出数:35,输入类型:LVDS,输入数:5,电压-电源:2.3V~3.6V,数据速率:3.92Gbps,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:64-TQFP,功能:解串器免费样片申请ROHMBA6287F-E2集成电路频率-开关:300kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1.5A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:32V,电压-输入（最小值）:8V,电压-输入（最大值）:35V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:TO-252-5,同步整流器:无免费样片申请

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMSIM-030ST光电子产品视角:40°,电流-DC正向（If）:100mA,电压-正向（Vf）（典型值）:1.7V,波长:870nm,朝向:顶视图,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:2-SMD,无引线,不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr@100mA,FET类型:红外(IR)免费样片申请ROHMSIM-040ST光电子产品输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:8V,线路调整率:20mV,电压调节准确度:1%,极性:Positive,最小输入电压:4V,最大输入电压:26.5V,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:TO-252-3,回动电压—最大值:0.5Vat500mA,回动电压:0.3V,PSRR/纹波抑制—典型值:55dB免费样片申请ROHMSMLZ14EGTT86AX2光电子产品频率-开关:500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:4A,电压-输出（最小值/固定）:0.8V,电压-输出（最大值）:12.6V,电压-输入（最小值）:4.5V,电压-输入（最大值）:18V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMSMLP34RGB2W3J光电子产品连续漏极电流Id:27A,80A,漏源极电压Vds:30V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-HSOP,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:47nC@4.5V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6100pF@15V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:2.4mOhms@32A,10V,Pd-功率耗散(Max):29W,FET类型:2N-Channel免费样片申请ROHMSMLVN6RGB1U16Y光电子产品频率-开关:1MHz,2MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:3A,电压-输出（最小值/固定）:0.8V,电压-输出（最大值）:4.4V,电压-输入（最小值）:2.7V,电压-输入（最大值）:5.5V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:VQFN016V3030,同步整流器:是免费样片申请ROHMSML812BCTT86Q光电子产品速度:400kHz,电压-电源:1.7V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:64Kb(8Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMMSL0402RGBU16X光电子产品电压-电源:1.8V~5.5V,时钟频率:400kHz,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-MSOP,存储容量:8Kb(1Kx8),存储器类型:非易失,存储器接口:I²C,写周期时间-字，页:5ms免费样片申请ROHMSMLZ14BGTT86AV1光电子产品配置:Single,通道数量:1Channel,连续漏极电流Id:45A,系列:RCJ450N20,漏源极电压Vds:200V,栅极电压Vgs:10V,封装/外壳:TO-263-3,RdsOn(Max）@Id,Vgs:55mOhms,FET类型:1N-Channel免费样片申请ROHMSMLS14BETT68W2光电子产品驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:2.5V,4.5V,连续漏极电流Id:18A(Ta),30A(Tc),漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:±12V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:8-PowerVDFN,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:39nC@4.5V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4290pF@15V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V@11mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:4.5mOhms@18A,4.5V,Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),30W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMSML522BU1WT86PN光电子产品输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):4.5mA,电流-输出:500mA,电流-电源（最大值）:6mA,电压-输出（最小值/固定）:6V,电压-输入（最大值）:21V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,压降（最大值）:2V@500mA(标准),保护功能:过流,超温,PSRR:74dB(120Hz)免费样片申请ROHMCSL0406WBCW15Z2光电子产品输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1Ohms,电流-静态（Iq):4.5mA,电流-输出:500mA,电流-电源（最大值）:6mA,电压-输出（最小值/固定）:18V,电压-输入（最大值）:33V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,压降（最大值）:2V@500mA(标准),保护功能:过流,超温,PSRR:58dB(120Hz)免费样片申请ROHMSMLP13EC8TT86S光电子产品输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:1Ohms,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:500mA,电压-负载:2.7V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：1,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB开关,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,导通电阻（典型值）:160毫欧免费样片申请ROHMSMLZN4BGTT86AU2光电子产品速度:标准恢复>500ns,>200mA(Io),正向电流If:5A,正向电压Vf:980mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:200V,反向漏电流Ir:10µA@200V,反向恢复时间trr:25ns,FET类型:标准免费样片申请ROHMSMLZN4WBGUW1EAZ1光电子产品输出类型:开路集电极,电流-静态（最大值）:1mA,电流-输出（典型值）:16mA@5V,电流-输入偏置（最大值）:0.25µA@5V,电压-输入失调（最大值）:7mV@5V,电压-电源，单/双（±）:2V~36V,±1V~18V,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:8-SSOPB,元件数:2免费样片申请ROHMSML-S13RTT86B光电子产品输出类型:推挽式,电流-静态（最大值）:15mA,电流-输出（典型值）:5mA,电流-输入偏置（最大值）:1pA(标准),电压-输入失调（最大值）:6mV@3V,电压-电源，单/双（±）:1.8V~5.5V,±0.9V~2.75V,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:SOT-665,元件数:1Ohms,传播延迟（最大值）:1.6µs(标准),FET类型:CMOS,CMRR，PSRR（典型值）:80dBCMRR,80dBPSRR免费样片申请ROHMSMLA12WBC7W1AQ光电子产品电路数:2,电流-输出/通道:30mA,电流-输入偏置:20nA,电流-电源:700µA,电压-输入失调:2mV,电压-电源，单/双（±）:3V~32V,±1.5V~16V,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:8-SSOPB,增益带宽积:500kHz,压摆率:0.2V/µs免费样片申请ROHMSML-S13MTT68U光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:2.8V,工作温度:-40°C~75°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-S13VTT68V光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,系列:BD47xx,电压-阈值:4.6V,工作温度:-40°C~75°C(TA),封装/外壳:5-SSOP,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-S13YTT68X光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:3V,工作温度:-40°C~75°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-S13UTT86V光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,系列:BD47xx,电压-阈值:4.5V,工作温度:-40°C~75°C(TA),封装/外壳:5-SSOP,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-S13DTT68W光电子产品输出类型:推挽式,电流-输出（最大值）:500µA,电流-电源（最大值）:8µA,电压-电源:1.65V~3.6V,测试条件:25°C,极化:任意一种,感应范围:±7.9mT跳闸,±3.5mT释放,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:UCSP35L1,功能:全极开关免费样片申请ROHMSML-Z14U4TT86AZ光电子产品驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:200V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-220-3,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:40nC@10V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:130mOhms@10A,10V,Pd-功率耗散(Max):2.23W(Ta),40W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMSML-Z14UTT86AAW光电子产品速度:400kHz,电压-电源:1.6V~5.5V,格式-存储器:EEPROM,接口:I²C,2线串口,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,存储容量:16Kb(2Kx8),存储器类型:非易失免费样片申请ROHMSML-Z14F4TT86AU光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:2.7V,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:4-SOP,复位超时:可调节/可选择,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-Z14M4TT86AV光电子产品稳压器数:1Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流-输出:300mA,电压-输出:2.7V,电压-输入:最高5.5V,电压-跌落（典型值）:0.06V@100mA,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘免费样片申请ROHMSML-P24MUWT86RMQ光电子产品驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:2.5V,4.5V,连续漏极电流Id:2A(Ta),漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:±12V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:SOT-23-5,TSOT-23-5,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:3.9nC@4.5V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF@10V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:100mOhms@2A,4.5V,Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMSML-522MUWT86PR光电子产品速度:快速恢复=200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:1.7V@10A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:430V,反向漏电流Ir:10µA@430V,反向恢复时间trr:25ns,FET类型:标准免费样片申请ROHMSMLP13BC8TT86P光电子产品驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:4V,10V,连续漏极电流Id:3.5A,漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TUMT,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:8nC@5V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF@10V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:50mOhms@3.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta),FET类型:P-Channel免费样片申请ROHMSML-Z14DTT86AAV光电子产品速度:小信号=免费样片申请ROHMSML-522MU8WT86PQ光电子产品驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:4V,10V,连续漏极电流Id:1.4A,漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TUMT,不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:2nC@5V,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:70pF@10V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:240mOhms@1.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMSML-D14U2WT86A光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:3.1V,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,复位超时:可调节/可选择,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-P13PTT86RL光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:2.3V,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-P13FTT86RM光电子产品输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:2.7V,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,复位:低有效,受监控电压数:1Ohms,FET类型:简单复位/加电复位免费样片申请ROHMSML-P12DTT86RR光电子产品频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:22k,电流-集电极截止（最大值）:500nA,封装/外壳:EMT,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:56@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:NPN+PNP免费样片申请ROHMSML-P12UTT86RQ光电子产品频率-跃迁:180MHz,140MHz,集电极最大允许电流Ic:0.15A,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电流-集电极（Ic）（最大值）:150mA,电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO),工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:EMT,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120@1mA,6V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:400mV@5mA,50mA/500mV@5mA,50mA,FET类型:NPN+PNP免费样片申请ROHMSML-P11VTT86RH光电子产品频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47KOhms,电流-集电极截止（最大值）:500nA,封装/外壳:EMT,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:NPN免费样片申请ROHMSML-P12VTT86RP光电子产品频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-基底（R1）（欧姆）:4.7k,封装/外壳:EMT,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100@1mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@250µA,5mA,FET类型:NPN+PNP免费样片申请ROHMSML-P11YTT86RL光电子产品频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k,电流-集电极截止（最大值）:500nA,封装/外壳:EMT,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:NPN+PNP免费样片申请ROHMSCMP13WBC8W1AS光电子产品稳压器数:1Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流-输出:1A,电压-输出:7V,电压-输入:9.5V~22V,电压-跌落（典型值）:2V@1A,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:TO-220-3截切引线免费样片申请ROHMSML813WBC8W1FR光电子产品齐纳阻抗Zz:30Ohms,齐纳电压Vz:10.99V,高度:0.50mm,长度:1.00mm,配置:Single,系列:VDZ11B,测试电流It(mA):5mA,工作温度:-55°C~150°C,宽度:0.6mm,反向漏电流Ir:100nA,功率耗散Pd:100mW,偏差:±2%免费样片申请ROHMSML-P12WTT86RQ光电子产品频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k,电流-集电极截止（最大值）:500nA,封装/外壳:SMT,功率（W）:3/10W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:NPN免费样片申请ROHMSML-P12Y3TT86RQ光电子产品齐纳电压Vz:6.65V,通道数:4,最大峰值脉冲功率Ppp:200W,反向电压Vr:3V,功率耗散Pd:200mW,FET类型:齐纳免费样片申请ROHMSML-P12U2TT86RR光电子产品高度:0.90mm,集电极—基极电压VCBO:15V,集电极—发射极最大电压VCEO:12V,长度:2.00mm,配置:Single,系列:UML6N,直流集电极/BaseGainhfeMin:270,直流电流增益hFE最大值:270at10mAat2V,最大直流电集电极电流:0.5A,工作温度:-55°C~150°C,封装/外壳:SOT-323-3,宽度:1.25mm,增益带宽产品fT:320MHz,发射极-基极电压VEBO:6V,功率（W）:3/20W,FET类型:NPN免费样片申请ROHMSML-P12M2TT86RN光电子产品速度:小信号=免费样片申请ROHMSML-P12Y2TT86RN光电子产品配置:SingleDiode,正向电流If:2A,正向电压Vf:0.49V,正向浪涌电流Ifsm:45A,封装/外壳:SMD/SMT,反向电压Vr:30V,反向漏电流Ir:8uA,反向浪涌电压Vrrm:30V免费样片申请ROHMSML-811WTT86AAK光电子产品配置:1对共阴极,速度:小信号=免费样片申请ROHMSML-D12FWT86N1光电子产品配置:Single,速度:快速恢复=200mA(Io),系列:RF071MM2S,正向电流If:700mA,正向电压Vf:780mV,正向浪涌电流Ifsm:15A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:200V,反向漏电流Ir:10nA,反向恢复时间trr:12ns,FET类型:标准免费样片申请ROHMSML-D22MUWT86MN光电子产品高度:0.50mm,集电极—射极饱和电压:-100V,集电极—基极电压VCBO:-15V,集电极—发射极最大电压VCEO:-12V,长度:1.2mm,配置:Single,系列:2SA2030,直流集电极/BaseGainhfeMin:270,直流电流增益hFE最大值:680,最大直流电集电极电流:-500mA,工作温度:-55°C~150°C,封装/外壳:VMT-3,宽度:0.80mm,增益带宽产品fT:260MHz,发射极-基极电压VEBO:-6V,功率（W）:3/20W,FET类型:PNP免费样片申请ROHMSML-E12DWT86S光电子产品速度:快速恢复=200mA(Io),正向电流If:1A,正向电压Vf:510mV@1A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:40V,反向漏电流Ir:30µA@40V,FET类型:肖特基免费样片申请ROHMSML-812MTT86Q光电子产品齐纳阻抗Zz:80hms,齐纳电压Vz:5.95V,湿气敏感性等级（MSL）:1(无限),工作温度:150°C(TJ),反向漏电流Ir:20µA@1.5V,功率耗散Pd:1W,偏差:±5.88%免费样片申请ROHMSML-A12WTT86R光电子产品频率-跃迁:150MHz,电阻器-基底（R1）（欧姆）:4.7k,电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA,电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO),电压-集射极击穿（最大值）:20V,封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,功率（W）:1/5W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:820@50mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:150mV@2.5mA,50mA,FET类型:NPN-预偏压免费样片申请ROHMSML-P11MTT86RG光电子产品齐纳电压Vz:4.924V,配置:Single,系列:KDZV4.7B,稳压电流Izt:40mA,封装/外壳:SMD/SMT,功率耗散Pd:1W免费样片申请ROHMSML-P11DTT86RK光电子产品齐纳电压Vz:34.95V,工作温度:150°C,反向漏电流Ir:10µA@25V,功率耗散Pd:1W免费样片申请ROHMSML-A12UTT86R光电子产品齐纳电压Vz:25.31V,配置:Single,系列:KDZV24B,稳压电流Izt:10mA,封装/外壳:SMD/SMT,功率耗散Pd:1W免费样片申请ROHMSML-M13DTT86T光电子产品高度（最大值）:0.65mm,颜色:黄色,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mmx0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向（Vf）（典型值）:2.1V,波长-主:590nm,毫烛光等级:224mcd,封装/外壳:1608免费样片申请ROHMSML-M13UTT86S光电子产品高度（最大值）:0.65mm,颜色:红色,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mmx0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向（Vf）（典型值）:2V,波长-主:615nm,毫烛光等级:140mcd,封装/外壳:1608免费样片申请ROHMSML-M13PTT86N光电子产品高度（最大值）:0.65mm,颜色:黄绿,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mmx0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向（Vf）（典型值）:2.1V,波长-主:571nm,毫烛光等级:71mcd,封装/外壳:1608免费样片申请ROHMSML-M13VTT86R光电子产品高度（最大值）:0.65mm,颜色:红色,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mmx0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向（Vf）（典型值）:2V,波长-主:630nm,毫烛光等级:90mcd,封装/外壳:1608免费样片申请ROHMSML-M13MTT86Q光电子产品齐纳电压Vz:6.8V,工作温度:150°C(TJ),反向电压Vr:3.5V,反向漏电流Ir:10µA,功率耗散Pd:500mW,偏差:±8.82%免费样片申请ROHMSML-M13YTT86T光电子产品齐纳电压Vz:5.1V,湿气敏感性等级（MSL）:1(无限),工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:2-SMD,反向漏电流Ir:10µA@1.5V,功率耗散Pd:500mW,偏差:±9.8%免费样片申请

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMUMD3NTR电阻频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47KOhms,电流-集电极截止（最大值）:500nA,封装/外壳:EMT,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@250µA,5mA,FET类型:PNP免费样片申请ROHMUMX1NTN电阻驱动电压@RdsOn（Max),RdsOn(Min）:10V,连续漏极电流Id:0.25A,漏源极电压Vds:60V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:EMTF,不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF@25V,不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V@1mA,RdsOn(Max）@Id,Vgs:2.4Ohms@250mA,10V,Pd-功率耗散(Max):150W(Tc),FET类型:N-Channel免费样片申请ROHMUMT1NTN电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-基底（R1）:22kOhms,电阻器-发射极基底（R2）:47kOhms,电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA,电流-集电极截止（最大值）:500nA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:VMT3,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80@5mA,10V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:150mV@500µA,5mA,FET类型:NPN-预偏压免费样片申请ROHMIMZ1AT108电阻齐纳阻抗Zz:37Ohm,齐纳电压Vz:13V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA@10V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±2%免费样片申请ROHMSST4403T116电阻齐纳阻抗Zz:200Ohm,齐纳电压Vz:30V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA@23V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±3%免费样片申请ROHMDTC123JMT2L电阻齐纳阻抗Zz:150Ohms,齐纳电压Vz:27V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA@21V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±2%免费样片申请ROHMDTC143ZMT2L电阻齐纳阻抗Zz:42Ohms,齐纳电压Vz:14.66V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA@11V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±2%免费样片申请ROHMUMZ1NTR电阻齐纳阻抗Zz:120Ohms,齐纳电压Vz:3.3V,工作温度:150°C,反向漏电流Ir:20µA@1V,功率耗散Pd:100mW免费样片申请ROHMUMG8NTR电阻频率-跃迁:360MHz,电流-集电极（Ic）（最大值）:2A,电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO),电压-集射极击穿（最大值）:50V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:MPT3,功率（W）:1/2W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180@50mA,2V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:350mV@35mA,700mA,FET类型:NPN免费样片申请ROHM2SAR522MT2L电阻速度:快速恢复=200mA(Io),正向电流If:100mA,正向电压Vf:490mV@100mA,工作温度-结:125°C(最大),反向电压Vr:30V,反向漏电流Ir:45µA@30V,FET类型:肖特基免费样片申请ROHMDTA144EETL电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47KOhms,电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-85,功率（W）:1/5W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80@5mA,10V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:150mV@500µA,5mA,FET类型:NPN-预偏压免费样片申请ROHMDTC144EETL电阻齐纳电压Vz:6.8V,工作温度:150°C,封装/外壳:0201,反向漏电流Ir:500nA@3.5V,功率耗散Pd:100mW,偏差:±5%免费样片申请ROHMDTC114YUAFRAT106电阻齐纳电压Vz:51V,工作温度:150°C,反向漏电流Ir:1µA@39V,功率耗散Pd:200mW免费样片申请ROHMBC847BT116电阻齐纳阻抗Zz:30Ohms,齐纳电压Vz:7.44V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:500nA@4V,功率耗散Pd:200mW免费样片申请ROHMDTC114EETL电阻齐纳电压Vz:3V,工作温度:-55°C~150°C,功率耗散Pd:200mW免费样片申请ROHM2SAR554P5T100电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-基底（R1）（欧姆）:22k,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47KOhms,电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA,电流-集电极截止（最大值）:500nA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-70,SOT-323,功率（W）:1/5W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:PNP-预偏压免费样片申请ROHM2SCR554P5T100电阻频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k,电流-集电极截止（最大值）:500nA,封装/外壳:UMT,功率（W）:1/5W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30@10mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:NPN免费样片申请ROHMMCR03EZPJ473电阻频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47KOhms,电流-集电极截止（最大值）:500nA,封装/外壳:UMT,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,Power-Max:200mW,FET类型:PNP,Current-Collector(Ic)(Max):30mA免费样片申请ROHM2SAR533P5T100电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k,电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA,电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO),电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-70,SOT-323,功率（W）:1/5W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:NPN-预偏压免费样片申请ROHMDTC023EMT2L电阻齐纳阻抗Zz:85Ohms,齐纳电压Vz:20.39V,配置:Single,系列:EDZV20B,稳压电流Izt:5mA,工作温度:-55°C~150°C,封装/外壳:SMD/SMT,反向漏电流Ir:100nA,功率耗散Pd:150mW免费样片申请ROHMDTC023JMT2L电阻高度-安装（最大值）:0.026"(0.65mm),系列:MCR,端子数:2,电阻:100Ohms,温度系数:±100ppm/°C,成分:厚膜,工作温度:-55°C~155°C,封装/外壳:1206,功率（W）:1/4W,偏差:±1%免费样片申请ROHMDTC043TMT2L电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47KOhms,电流-集电极（Ic）（最大值）:70mA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80@5mA,10V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:150mV@500µA,5mA,FET类型:PNP-预偏压免费样片申请ROHMDTC014EMT2L电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:100k,电流-集电极（Ic）（最大值）:20mA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80@5mA,10V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:100mV@500µA,5mA,FET类型:NPN-预偏压免费样片申请ROHMDTC014YMT2L电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-基底（R1）（欧姆）:2.2k,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47KOhms,电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80@5mA,10V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:150mV@500µA,5mA,FET类型:NPN-预偏压免费样片申请ROHM2SCR512P5T100电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:2.2k,电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率（W）:3/20W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20@20mA,10V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:200mV@1mA,10mA,FET类型:NPN-预偏压免费样片申请ROHMDTC014YUBTL电阻频率-跃迁:250MHz,电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k,电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA,电流-集电极截止（最大值）:500nA,电压-集射极击穿（最大值）:50V,封装/外壳:SC-85,功率（W）:1/5W,不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20@5mA,5V,不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）:300mV@500µA,10mA,FET类型:PNP-预偏压免费样片申请

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMBD63860EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:1.7A,电机类型-步进:双极性,电压-电源:16V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,1/8,接口:串行,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:28-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9866GUL-E2电源输出数:4,电压-输出:多重,电压-输入:4V~14V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:VCSP50L3免费样片申请ROHMBD6423EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:700mA,电机类型-步进:双极性,电压-电源:19V~42V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:模拟,PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD8LB600FS-CE2电源运行时间—最大值:50us,输出端数量:8Output,输出电流:1A,空闲时间—最大值:50us,电源电压-最小:3V,电源电压-最大:5.5V,电流限制:1.8A,工作电源电压:3Vto5.5V,工作温度:-40°C~150°C,导通电阻—最大值:800mOhms免费样片申请ROHMBD99011EFV-ME2电源频率-开关:200kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:固定,输出数:1Ohms,系列:汽车级,AEC-Q100,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:5V,电压-输入（最小值）:3.6V,电压-输入（最大值）:35V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:24-HTSSOP-B,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD63730EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:2.7A,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,电压-电源:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:54-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBM6108FV-LBE2电源输出端数量:2Output,输出电流:5A,输出电压:2V,系列:BM6108FV-LB,电源电压-最小:4.5V,电源电压-最大:24V,激励器数量:1Driver,最大开启延迟时间:150ns,160ns,最大关闭延迟时间:140ns,150ns,工作电源电流(mA):3.2mA,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:SSOP-B20W,功率（W）:1.19W,关闭:NoShutdown,下降时间:50ns,上升时间:50ns免费样片申请ROHMBD2808MUV-ME2电源高度:1mm,长度:7mm,通道数量:24Channel,输出电流:50mA,输出电压:20V,输入电压:3.3V,电源电流—最大值:5mA,湿度敏感性:Yes,工作频率:1.02MHz,工作温度:-40°C~105°C,宽度:7mm,功率（W）:5.2W,FET类型:DriverICwith2-LineSerialInterface免费样片申请ROHMBD65492MUV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:1.8V~16V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-VFQFN,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD62321HFP-TR电源输出配置:半桥(2),电流-输出:3A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-电源:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:HRP7,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD8139AEFV-E2电源输出电流:40mA,工作电源电压:2.3Vto18V,工作温度:-30°C~85°C,封装/外壳:40-VSSOP,功率（W）:1.6W,FET类型:TFT-LCD稳压器免费样片申请ROHMBD6232HFP-TR电源输出配置:半桥(2),电流-输出:2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:HRP7,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9V100MUF-CE2电源输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:0.8Vto5.5V,输入电压:16Vto60V,最小输入电压:16V,最大输入电压:60V,拓扑结构:Buck,开关频率:2.1MHz,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:VQFN-24,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD6232FP-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:25-HSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD63843EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:700mA,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/8,1/16,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:28-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6393FP-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:800mA,电机类型-步进:双极性,电压-负载:16V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:25-HSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9781HFP-TR电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:4A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:35V,电压-输入（最小值）:7V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:HRP7,同步整流器:无免费样片申请ROHMBD65491FV-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1.2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:1.8V~16V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:16-SSOPB,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6226FP-E2电源输出配置:半桥(4),负载类型:电感,电流-输出/通道:1A,电压-负载:6V~15V,电压-电源:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:25-HSOP,导通电阻（典型值）:1.5欧姆免费样片申请ROHMBD90640HFP-CTR电源电流-输出:2.5A,电压-电源:4.3V~13.2V,湿气敏感性等级（MSL）:3(168小时),接口:逻辑,工作温度:-20°C~75°C(TA),封装/外壳:54-VSSOP,功能:驱动器免费样片申请ROHMBD90640EFJ-CE2电源输出端数量:1Output,输出电流:4A,输出电压:0.8Vto36V,输入电压:13.2V,系列:BD90640HFP-C,最小输入电压:3.5V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开关频率:50kHzto600kHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~125°C,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD57011AGWL-E2电源输出端数量:1Output,输出电流:4A,输出电压:0.8Vto36V,输入电压:13.2V,最小输入电压:3.5V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开关频率:50kHzto600kHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~125°C,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD67929EFV-E2电源输出配置:半桥(3),电流-输出:2.5A,电机类型-AC，DC:无刷DC(BLDC),电压-负载:19V~28V,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:28-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6225FP-E2电源输出配置:半桥(4),负载类型:电感,电流-输出/通道:500mA,电压-电源:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:25-HSOP,导通电阻（典型值）:1.5欧姆免费样片申请ROHMBD90620HFP-CTR电源输出端数量:1Output,输出电流:2.5A,输出电压:0.8Vto36V,输入电压:13.2V,系列:BD90620HFP-C,最小输入电压:3.5V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开关频率:50kHzto600kHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~125°C,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD9G341AEFJ-LBE2电源输出端数量:1Output,输出电流:3A,输出电压:1Vto76V,输入电压:12Vto76V,最小输入电压:12V,最大输入电压:76V,拓扑结构:Buck,开关频率:0.75MHz,工作电源电流(mA):1.5mA,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-SOIC,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD63960EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:1.2A,电机类型-步进:双极性,电压-电源:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6142AMUV-E2电源频率:1.25MHz,输出数:8,调光:PWM,电流-输出/通道:30mA,电压-供电（最高）:27V,电压-输出:41V,电压-供电（最低）:4.2V,拓扑:升压(升压),工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:24-VFQFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBM6203FS-E2电源输出配置:半桥(3),负载类型:电感,电流-输出/通道:2.5A,电流-峰值输出:4A,电压-负载:400V(最大),电压-电源:13.5V~16.5V,故障保护:限流,超温,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-20°C~125°C(TJ),封装/外壳:SSOP-A54_23,导通电阻（典型值）:1.7欧姆免费样片申请ROHMBD9152MUV-E2电源频率-开关:1MHz,输出配置:正,输出类型:可调(固定),输出数:2,电流-输出:1.5A,电压-输出（最小值/固定）:0.8V(3.3V),电压-输出（最大值）:2.5V,电压-输入（最小值）:4.5V,电压-输入（最大值）:5.5V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:20-VFQFN裸露焊盘,同步整流器:是,功能:降压免费样片申请ROHMBD9E300EFJ-LBE2电源频率-开关:1MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2.5A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD6231HFP-TR电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:HRP7,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9422EFV-E2电源频率:500kHz,输出数:6,调光:模拟,PWM,电流-输出/通道:400mA,电压-供电（最高）:35V,电压-供电（最低）:9V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:40-VSSOP,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBA6285AFP-YE2电源输出配置:半桥(2),系列:BA6285AFP,电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:4.5V~24V,电压-电源:4.5V~24V,接口:开/关,工作电源电流(mA):63mA,工作电源电压:4.5Vto24V,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:25-HSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9E301EFJ-LBE2电源频率-开关:570kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2.5A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD8303MUV-E2电源频率-开关:200kHz~1MHz,输出阶段:2,输出配置:正,输出类型:晶体管驱动器,电压-电源（Vcc/Vdd）:2.7V~14V,时钟同步:无,控制特性:使能,频率控制,拓扑:降压升压,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:VQFN016V3030,同步整流器:是,占空比（最大）:0.9,功能:升压/降压免费样片申请ROHMBD8149MUV-E2电源输入电压范围:2.1Vto18V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:32-VFQFN裸露焊盘,功率（W）:4.56W,FET类型:TFT-LCD稳压器免费样片申请ROHMBU24020GU-E2电源输出配置:半桥(8),电流-输出:500mA,电机类型-步进:双极性,电机类型-AC，DC:有刷直流、音圈电机,电压-负载:2.7V~5.5V,电压-电源:2.7V~3.6V,步进分辨率:>256微步,接口:串行,工作温度:-20°C~85°C(TA),封装/外壳:VCSP85H2,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9060F-CE2电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:0.8V,电压-输出（最大值）:35V,电压-输入（最小值）:5V,工作温度:-40°C~125°C(TJ),封装/外壳:8-SOIC,同步整流器:无,功能:降压免费样片申请ROHMBD9778HFP-TR电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:35V,电压-输入（最小值）:7V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:HRP7,同步整流器:无免费样片申请ROHMBD6222HFP-TR电源输出配置:半桥(2),负载类型:电感,电流-输出/通道:2A,电压-负载:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:HRP7,导通电阻（典型值）:1欧姆免费样片申请ROHMBD65D00MUV-E2电源频率:1.25MHz,输出数:4,调光:模拟,PWM,电流-输出/通道:100mA,电压-供电（最高）:27V,电压-输出:41V,电压-供电（最低）:4.5V,拓扑:升压(升压),工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:28-VFQFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBD9397EFV-GE2电源频率:500kHz,输出数:6,调光:模拟,PWM,电流-输出/通道:400mA,电压-供电（最高）:35V,电压-供电（最低）:9V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:40-VSSOP,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBD6222FP-E2电源输出配置:半桥(2),负载类型:电感,电流-输出/通道:2A,电压-负载:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:25-HSOP,导通电阻（典型值）:1欧姆免费样片申请ROHMBD9E100FJ-LBGE2电源频率-开关:1MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD8152FVM-TR电源频率-开关:600kHz,1.2MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1.4A(开关),电压-输出（最小值/固定）:2.5V,电压-输出（最大值）:15V(开关),电压-输入（最大值）:5.5V,拓扑:升压,SEPIC,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,同步整流器:无,功能:升压,升压/降压免费样片申请ROHMBD9479FV-GE2电源频率:150kHz,输出数:8,调光:模拟,PWM,电压-供电（最高）:35V,电压-供电（最低）:9V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:40-SSOP,内部开关:无,FET类型:DCDC控制器免费样片申请ROHMBD6290EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:800mA,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9E101FJ-LBGE2电源频率-开关:570kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD63725BEFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:2.4A,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:28-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9701FP-E2电源频率-开关:100kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1.5A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:32V,电压-输入（最小值）:8V,电压-输入（最大值）:35V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:TO-252-5,同步整流器:无免费样片申请ROHMBD65496MUV-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1.2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:1.8V~16V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:并联,工作温度:-30°C~150°C(TJ),封装/外壳:VQFN024V4040,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9141MUV-E2电源频率-开关:500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:2.5V,电压-输出（最大值）:6V,电压-输入（最小值）:4.5V,电压-输入（最大值）:13.2V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:VQFN020V4040,同步整流器:是免费样片申请ROHMBM60014FV-CE2电源通道数:1Ohms,认可:UR,电流-输出高，低:3A,3A,电流-峰值输出:5A,电压-隔离:2500Vrms,电压-电源:10V~24V,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:20-SSOP,共模瞬态抗扰度（最小值）:100KV/µs,传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:120ns,120ns,上升/下降时间（典型值）:50ns,50ns免费样片申请ROHMBD9611MUV-E2电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出阶段:1Ohms,输出配置:正,输出类型:晶体管驱动器,电压-电源（Vcc/Vdd）:10V~56V,时钟同步:是,控制特性:限流,使能,频率控制,软启动,拓扑:降压,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:VQFN020V4040免费样片申请ROHMBD6522F-E2电源输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:1Ohms,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:2A,电压-负载:3V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：1,故障保护:超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOP,导通电阻（典型值）:50毫欧免费样片申请ROHMBD8314NUV-E2电源频率-开关:1.2MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2.5A(开关),电压-输出（最小值/固定）:4V,电压-输入（最小值）:3V,电压-输入（最大值）:12V,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:10-VFDFN裸露焊盘,同步整流器:无,功能:升压免费样片申请ROHMBA6285FS-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:4.5V~15V,接口:开/关,工作温度:-20°C~150°C(TJ),封装/外壳:16-SSOPA,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9E303EFJ-LBE2电源频率-开关:300kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:3A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:28.8V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是免费样片申请

美国限制升级，从华为供应端到海思芯片端。2020年5月15日，美国商务部发布公告，计划限制华为使用美国技术和软件在美国境外设计和制造半导体的能力。具体来说，华为及其被列入实体名单中的分支机构，基于管制清单中的美国软件及技术生产的直接产品，与使用美国境外的管制清单中半导体设备所生产的基于华为设计规范的直接产品，在向华为及分支机构出货时，都需要申请许可证，相当于是对2019年5月17日将华为纳入实体名单的进一步升级。但是同时也看到，本次公告只是计划而非正式条例出台，同时条例生效后上游供应商仍有120天的缓冲期。与此同时，美国商务部还宣布将华为的临时许可证再延长90天，推迟至2020年8月13日。美方2019年5月21日针对华为发放第一次临时许可证，截至本次已是第5次延长临时许可证，借助临时许可证，华为可从美国进口特定产品和技术。此外，据路透社报道，本次可能是最后一次延长许可证，同样属于对华为制裁的进一步升级。此外，此前华为的美国供应商也可通过证明产品无关国家安全，申请豁免继续供货，不受临时许可时效约束。我们认为，过去一年华为在IC设计端已基本实现自研替代或非美供应商切换，而制造端华为仍高度依赖台积电，且上游半导体设备、EDA软件仍被美国厂商垄断，因而成为美方重点施压方向。目前华为已实现大量芯片自研，但制造环节仍然高度依赖台积电，是其产业链中的主要瓶颈。一旦制造环节无法在台积电下单，而中芯国际技术和产能爬坡仍需一定时间，则其大量自研的芯片将无法实现量产和应用，因此成为本次美国制裁政策的切入点。此外，在半导体设备方面，目前美国厂商占据半导体设备市场约40%份额，其中在沉积、刻蚀、离子注入、CMP、清洗、检测等关键工艺方面，应用材料、泛林、科天等美国厂商具有领先工艺技术优势和稳定性，经过了长期量产检验，因此短期内难以替代；在EDA软件方面，目前IC设计的EDA工具仍基本由Cadence、Synopsys、Mentor三家美国公司垄断，短期难以完全替代。极端情况下推演，正式条例落地后华为或将面临短期断供，但从国家博弈层面来看中国也将做出一定回应，且华为自身在存货等方面做有准备。最早美国517制裁之后，美国半导体大厂曾经短暂对华为断供，后续英特尔、赛灵思、高通等公司陆续于7月开始恢复部分供应，其中与军工、5G等不相关的产品在无许可证情况下也可供货。我们认为，即使后续正式条例落地也并不意味着100%绝对断供，尚需持续观察后续进展。据环球时报社评，如果美国对华为进一步“卡脖子”，阻止台积电等向华为供应芯片，中方将予以强力反击，包括将美国有关企业纳入“不可靠实体清单”，依法依规对高通、思科、苹果等美企进行限制或调查，暂停采购波音飞机等等。此外，在2018年中兴通讯被美国列入拒绝清单之后，华为就已经开始做相应的准备，包括大量元器件的备货，华为的经营活动现金流净额长期领先于净利润，且走势保持一致，而在2018年，出现了较大的拐点向下。同时从资产负债表里可以看到，2018、2019年间，华为的存货大幅增加，这里面主要增加的又是原材料，2018年原材料占存货的比例达到了近年的峰值37.5%，2019年存货占收入的比例达到新高19.5%。因此，我们可以合理推断华为在2018、2019年大量囤货了相关元器件及产品，以备不时之需。整体来看，历史上美国供应商自制裁开始至恢复对华为供货需要大约2个月时间，而华为自身有一定存货周期，虽然短期或将面临一定压力，但大概率不会导致完全停供。主要美国企业对华为供货情况华为净利润与经营活动现金流净额走势（亿元）华为原材料和存货数据及比例（亿元）中长期来看，中美科技分叉，产业加速闭环。中国半导体制造市场日益扩大，得到国际设备厂商重视。5月14日荷兰ASML公司与江苏无锡市高新区政府签署合作协议，设立了光刻机设备技术服务(无锡)基地。ASML将建设专业团队技术中心，从事光刻机维护、升级等技术服务，同时建设供应链服务中心，提供高效物料和物流支持，体现了欧洲光刻机大厂ASML对中国市场的重视。中国芯片制造龙头中芯国际增资扩张先进工艺。中芯国际5月15日晚发表公告，14nm及以下产能平台中芯南方将获得注资，注册资本由35亿美元增加至65亿美元，增资后中芯国际持有股权将由50.1%降至38.515%，国家集成电路基金、国家集成电路基金II、上海集成电路基金、上海集成电路基金II将分别拥有14.562%、23.077%、12.308%、11.538%股份，中芯国际仍将对中芯南方具有实际控制权并合并报表。注资有利于中芯南方建立更大规模的14nm及更先进工艺产能，有利于上市公司摊薄14nm产能初期高额折旧带来的亏损。目前中芯南方产能已达6000片/月，3月底为4000片/月，年底将达到1.5万片/月，项目目标3.5万片/月。另一方面，美国正在加大对先进半导体工艺技术的把控，台积电5月15日宣布有意在美国亚利桑那州兴建和营运一座5nm先进晶圆厂，将于2021年动工，2024年开始量产。此前台积电曾释放赴美建厂的相关意图，我们认为台积电此举是回应了特朗普政府对先进半导体工艺供应链安全的担忧，美国可确保拥有制造尖端芯片的工厂，有助于保护其供应链安全。中美贸易摩擦信任消磨，我们认为在核心科技基础设施新基建领域，未来中美将出现分叉，倒逼出国内半导体快速成长的历史性机遇。中美科技角力中芯片制造环节是美方施压重点，长期利好半导体板块发展。中芯国际作为国内芯片制造端核心企业，未来承载国内产业链自主的重任，其受惠于政策、资金支持将有利于带动上下游公司共同成长。我们仍然强调国内半导体板块核心逻辑是十年维度的自主可控，继续推荐中芯国际、睿创微纳，择机关注国产替代相关设备、材料、设计公司，如北方华创、华峰测控、沪硅产业、兆易创新、韦尔股份、圣邦股份、卓胜微、澜起科技等。转载自中文业界资讯站。

据台湾《经济日报》报道，业界传出，华为已紧急对台积电追加高达7亿美元大单，产品涵盖5纳米及7纳米制程，使得台积电相关产能爆满。北京时间5月15日晚，美国商务部宣布将华为的临时许可再延长90天，推迟到2020年8月13日。但同时宣布使用美国芯片制造设备的外国公司在向华为或海思等附属公司供应某些芯片之前，将被要求获得美国许可证。不过这项规定将允许已经在生产的芯片运往华为，只要发货在周五起120天内完成即可。这些芯片组需要在周五之前投产，否则根据最新规定，它们将被禁止出口。业界分析，台积电必须再增加产能因应，才能满足客户庞大的急单需求，也让后续营运仍能维持强劲动能。消息人士透露，5纳米主要生产华为下一代旗舰手机麒麟1020芯片，7纳米版则是生产5G基带芯片。北京时间5月15日早，台积电宣布，计划在美国亚利桑那州建造当前世界上最先进的芯片工厂，这家工厂计划于2021年开工建设，2024年投产。台积电在这个项目上的总支出（包括资本支出），从2021年到2029年约为120亿美元。台积电强调，美国设厂前提是“成本”及“配合客户需求”，在美国政府愿意解决投资难题下，让台积电“看到机会”，这项投资并无政治考量。转载自中文业界资讯站。

对于意法半导体来说，通过与华为的合作，能够进入中国这个亿万级别的汽车市场的福利也无需多言，所以此次华为跟意法半导体的合作可以说是水到渠成。意法半导体是跳板，华为曲线获得EDA软件？除了汽车领域，双方此次合作，有猜测认为意法半导体EDA软件是华为最为看重的部分。行业普遍猜测，通过与意法半导体的合作，华为将能够获得Synopsys和Cadence等美国公司的软件产品，这将有利于华为应对美国的限制措施。此前，在美国制裁华为之后，有媒体问及华为和美国Synopsys、Cadence、Mentor三家EDA公司（提供芯片设计的工具）的合作时，华为轮值董事长徐直军坦言，大家都很清楚，这些公司都不能和我们合作了，但天下也不是只有他们。虽然此前华为对外表示乐观，也无法掩盖EDA是中国集成电路的一大短板这一事实。EDA软件的重要性对于芯片厂商不言而喻，而EDA软件方面早已形成了美国三巨头——Synopsys、Cadence、Mentor，国内从事EDA软件开发厂商和这三家现在不是一个数量级的。正是因为国内从事EDA工具开发的公司在三巨头面前实力过于悬殊，国内IC设计公司几乎100%采用国外EDA工具。而且在一段时间里，看不到缩小和美国三大EDA巨头的技术差距可能性。所以，此次通过与意法半导体合作，华为能够绕开美国制裁，获得EDA软件，也是一个比较现实的方案。意法半导体手机芯片业务借华为“上位”？值得注意的是，双方的此次合作也提到了手机芯片，这或许是意法半导体的另一个目的。意法半导体除了做模拟器件、微控制器、汽车芯片、功率分立器件和数字芯片外，同时也做手机芯片，但是手机芯片业务一直处于比较低迷的状态，低迷到甚至让人忽略了它的存在。查阅相关新闻，关于意法半导体手机芯片的消息还停留在“2012年意法半导体传出要出售手机芯片业务”。事实上，不止意法半导体，整个欧洲的手机芯片业务早已从昔日的辉煌遭到了“团灭”。所以，意法半导体与华为的合作是否有想重振欧洲手机芯片业务的意图？回顾历史，欧洲手机芯片业务也曾如此耀眼。20世纪90年代，来自瑞典的爱立信、芬兰的诺基亚和德国的西门子，这三家欧洲企业开启了对全球手机市场长达15年的绝对统治。欧洲成名和高光于GSM通信行业标准，从芯片设计到方案定型，从设备制造到网络搭建，从终端对接到市场教育，无孔不入，同时也坚不可摧。后来，为了撼动欧洲的统治地位，美国和日韩等国选择了高通的CDMA。从此，通讯产业标准陷入战国时代，各方激战多年，都无法战胜对方，局面就这样僵持了5－6年。2006年，飞利浦半导体独立，即恩智浦(NXP)，2008年，NXP无线部门分离和ST成立合资公司ST-NXPWireless。2009年，ST-NXPWireless和爱立信手机研发合并，成立ST-Ericsson。但由于2010年智能手机的兴起，ST-Ericsson在市场上受到美国高通、韩国三星等芯片厂商的强大冲击，到2012年底，公司累计亏损高达27亿美元。2013年，ST-Ericsson关闭(相当于倒闭)。然后，接下来的纷争中，随着欧洲两家手机芯片豪门(NXP和STMicro)双双出局，欧洲手机芯片业务从此一蹶不振。目前而言，手机基带的玩家欧洲都没有了，大玩家里剩下韩国的三星，美国的高通，中国的联发科、海思和展讯、中兴。曾经可以傲娇的和美国掰手腕，如今却成为半导体领域的跟班，所以，徒有海量市场的欧洲半导体企业，对于进入手机芯片领域是非常渴望的。而华为在手机基带上的成绩也同样能跟美国的企业比肩。就从数据来看，以StrategyAnalytics发布最新研究报告为例，报告显示，去年全球蜂窝基带处理器收益为209亿美元，同比下滑3%。其中，高通以41%的占比稳居第一；华为海思取得亮眼成绩，收益占比为16%，算下来其营收超33亿美元，折合人民币超230亿元。在排名上，华为力压英特尔、联发科、三星等知名厂商。意法半导体在移动芯片开发能力方面远远落后于华为，而与华为联合开发芯片，可以加强意法半导体在这方面的短板。当年的手机芯片竞争中，德州仪器输给了靠基带上位的高通，如今意法半导体选择与华为合作，是否也想背靠华为这棵“大树”，借此重振欧洲半导体的雄风？